Направления развития БИС

Полупроводниковые БИС содержат на одном кристалле сложные функциональные узлы: микропроцессоры и запоминающие устройства. При создании БИС можновыделить три основных направления. Первое связано с совершенствованием существующих технологических процессов изготовления БИС и созданием новых. Это относится к повышению разрешающей способности литографии, использованию ионной имплантации и др. Использование многослойной металлизации также позволяет увеличивать плотность элементов благодаря уменьшению длины межэлементных соеди­нений и числа пересечений проводников. Второе направление использует увеличение размеров кристалла. Третье направление основано на разработке новых схемотехнических решений.

43. Каковы задачи машинного конструирования БИС и СБИС?

В настоящее время широкое распространение получили вычислительные средства и системы, предназначенные для автоматизации процесса конструирования БИС. Они предназначены для:

1. Разработки для всех этапов проектирования методов и алгоритмов, реализованных в виде программ, т. е. создание прикладного математического обеспечения.

2. Создания системы технических средств, имеющих в своем составе центральный вычислительный комплекс большой емкости, периферийную аппаратуру для отображения, редактирования и документирования информации, появляющейся в процессе работы.

3. Разработки системного программного обеспечения на базе су­ществующих операционных систем для проектирования топологии БИС.

Автоматизация проектирования топологии БИС развивается по следующим направлениям: расчет структуры и геометрии элементов; синтез топологии на типовых ячейках; синтез топологии на элементном уровне; компоновка топологии и ее редактирование; разработка фотошаблонов.

Сейчас существует достаточно много программных продуктов, позволяющих практически полностью автоматизировать процесс конструирования БИС.

Задачи, решаемые при машинном конструировании БИС и СБИС, изменение этих задач с течением времени представлено в [19, 11, с. 284-305].