Указания к выполнению задачи №2
Таблица №2
№ вари-
анта
| l,см
| d,см
| в,см
| I,мА
| V,В
| В,Тс
| VX, В
|
|
| 0,2
| 0,2
|
| 0,25
| 0,6
| +0,056
|
| 1,2
| 0,3
| 0,3
|
| 0,4
| 1,2
| -0,12
|
| 0,8
| 0,2
| 0,3
|
| 0,35
| 0,8
| +0,04
|
|
| 0,3
| 0,2
|
| 0,3
| 0,5
| +0, 03
|
| 0,6
| 0,2
| 0,4
|
| 0,5
|
| -0,15
|
| 0,7
| 0,3
| 0,4
|
| 0,45
| 0,4
| -0,02
|
| 1,1
| 0,4
| 0,4
|
| 0,6
| 0,7
| +0,2
|
| 0,6
| 0,3
| 0,3
|
| 0,7
|
| +0,15
|
| 0,9
| 0,2
| 0,2
|
|
| 0,8
| -0,22
|
| 0,8
| 0,2
| 0,4
|
| 0,5
| 0,8
| -0,035
|
Формулы и выражения, которыми можно воспользоваться при выполнении задачи №2:
Если полупроводник, по которому течет электрический ток I, поместить в магнитное поле индукцией В, то возникает поперечная ЭДС Холла:
,
где постоянная Холла для полупроводника п – типа проводимости и для дырочного полупроводника., здесь п и р – концентрации носителей тока, А постоянная, определяемая типом рассеяния носителей тока и для атомных полупроводников (Si, Ge, GaAs) А = 1,18. Холловская подвижность выражается формулой , где - электропроводность полупроводника. Постоянная А может быть также определена формулой , где обычная подвижность. Расчет коэффициента диффузии проводится на основе формулы Эйнштейна .
Date: 2015-06-11; view: 429; Нарушение авторских прав Понравилась страница? Лайкни для друзей: |
|
|