Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Задачи для контрольной работыЗадача № 1. Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: удельным сопротивлением , подвижностью электронов и дырок ; собственной концентрацией носителей тока , концентрацией электронов n и дырок р, эффективными плотностями уровней электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне , энергией донорных и акцепторных примесных уровней. Используя справочные данные (см. ПРИЛОЖЕНИЯ 1 и 2) и численные значения параметров полупроводника для своего варианта, приведенные в таблице №1, рассчитать параметры полупроводника, отмеченные в таблице №1 знаком «?». Для всех вариантов дополнительно а) рассчитать положение уровня Ферми относительно границы разрешенной зоны, б) определить вероятность события, состоящего в том, что донорный или акцептор- ный уровень в зависимости от типа проводимости занят электроном или свободен и в) построить зонную диаграмму полупроводника с указанием расчетных значений энергии уровней.
Задача № 2. При исследовании эффекта Холла использовался образец полупро-водника с размерами l, в и d (см. рис.1). По образцу протекал ток I, что создает по направлению тока падение напряжения V. В поперечном магнитном поле с индукцией В в образце возникает эдс Холла V X. Используя справочные данные и численные значения для своего варианта, приведенные в таблице №2, определить а) тип проводимости полупроводника; б) концентрацию основных носителей заряда; в) холловскую подвижность носителей тока и г) коэффициент диффузии носителей тока.
Задача № 3. Имеется резкий кремниевый р-п – переход, находящийся при температуре Т =300К. Р - область перехода легирована атомами бора с концентрацией NА, а область п – перехода легирована атомами фосфора с концентрации ND. Используя справочные данные (см. ПРИЛОЖЕНИЯ 1 и 2) и численные значения для своего варианта, приведенные в таблице №3, определить: а) высоту потенциального барьера и ширину р-п перехода в отсутствие внешней разности потенциалов ; б) ширину обедненной областей и с каждой стороны перехода при прямом напряжении ; в) ширину обедненной области и с каждой стороны перехода при обратном напряжении ; г) барьерную емкость при обратном напряжении , если площадь поперечного сечения перехода равна S; д) напряжение лавинного пробоя , если пробой наступает при напряженности электрического поля В/м. е) нарисовать энергетические диаграммы перехода при равновесии , при прямом и обратном смещениях с соблюдением масштаба.
Задача № 4. Р-п – переход, смещенный в обратном направлении, можно использовать в качестве конденсатора, емкость которого можно менять напряжением. Обоснуйте это утверждение. Рассчитайте изменение этой емкости при изменение обратного напряжения от 0 до для кремниевого резкого р-п – перехода, если известно, что при емкость перехода равна . Постройте график этой зависимости. Данные для расчета приведены в таблице №4. Значение взять из задачи №3.
Задача № 5. Объясните качественно принцип работы р-п – перехода как выпрямителя. Начертите вольтамперные характеристики для идеального и реального плоскостного р-п – перехода и объясните различия между этими двумя характеристиками. Вычислите дифференциальное сопротивление р-п – перехода при изменение прямого тока в пределах Iпр = (0,01 - 10,0)мА. Температура T =290K, ток =1мкА. Постройте график зависимости .
|