Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Указания к выполнению задачи №1





 

Прочерки в таблице №1 означают, что при выполнении задачи №1 эти данные не требуются.

Ниже приведена сводка формул и выражений, которыми можно воспользоваться при решении задачи №1:

 

1. Вероятность нахождения электрона на уровне с энергией Е определяется статистикой Ферми-Дирака:

, (1)

где ЕF - энергия уровня Ферми.

2. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике определяются выражениями:

, где и (2)

, где (3)

В этих выражениях NС и РVэффективные плотности электронных состояний в зоне проводимости и дырочных состояний в валентной зоне соответственно, ЕС и ЕV - энергии дна зоны проводимости и вершины валентной зоны соответственно, и - эффективные массы электрона и дырки соответственно.

3. Электропроводности полупроводника σ в общем случае определяется суммой электронной σп и дырочной σр проводимостей:

, (4)

где п и р – концентрации электронов и дырок, которые в первом приближении не отличаются от равновесной, и определяются выражениями (2) и (3), и – подвижности электронов и дырок, - удельное сопротивление.

4. Концентрации неосновных носителей рn и nр при заданной температуре рассчитываются на основе закона действующих масс, определяющее для примесных полупроводников соотношение между концентрациями основных и неосновных носителей:

– (5)

для электронного полупроводника и

- (6)

для дырочного полупроводника.

 

Расчет неизвестной концентрации носителей тока можно провести, решая совместно равенства (4) и (5) или (4) и (6) в зависимости от типа проводимости полупроводника.

Положение уровня Ферми рассчитывается пользуясь соотношениями (2) и (3) в зависимости от типа полупроводника. Для расчета вероятности события, занят уровень электроном или нет, можно воспользоваться формулой (1).

 


 

Таблица 1

 

№ варианта   Тип полу-про- вод-ника Удель ное сопро-тив- ление Подвиж- ности, см2.с Концентрации носителей тока, см -3 Эффектив- ные плотности уровней, см -3 Энергии примесных уровней, эВ
    собст- вен- ных пi основных неосновных
пп рр рп пр NC PV ЕD ЕА
  п -тип Si       ? __ ? __ __ -0,02 __
  р -тип Si       ? __ ? __ __ __ +0,16
  п -тип Ge       ? __ ? __ __ -0,012 __
  р -тип Ge       ? __ ? __ __ __ +0,02
  п -тип GaAs       ? __ ? __ __ -0,01 __
  р -тип GaAs 0,51     ? __ __ ? __ __ +0,021
  п -тип InP 0,1     ? __ ? __ __ -0,015 __
  р -тип InP       ? __ __ ? __ __ +.0,12
  п -тип InSb 0,2 .10-3     ? __ ? __ __ -0,012 __
  р -тип InSb 0,1     ? __ __ ? __ __ +0,05

 


Date: 2015-06-11; view: 422; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.007 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию