Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Указания к выполнению задачи №1
|
|
Прочерки в таблице №1 означают, что при выполнении задачи №1 эти данные не требуются.
Ниже приведена сводка формул и выражений, которыми можно воспользоваться при решении задачи №1:
1. Вероятность нахождения электрона на уровне с энергией Е определяется статистикой Ферми-Дирака:
, (1)
где ЕF - энергия уровня Ферми.
2. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике определяются выражениями:
, где 
и (2)
, где 
(3)
В этих выражениях NС и РV – эффективные плотности электронных состояний в зоне проводимости и дырочных состояний в валентной зоне соответственно, ЕС и ЕV - энергии дна зоны проводимости и вершины валентной зоны соответственно, 
и 
- эффективные массы электрона и дырки соответственно.
3. Электропроводности полупроводника σ в общем случае определяется суммой электронной σп и дырочной σр проводимостей:
, (4)
где п и р – концентрации электронов и дырок, которые в первом приближении не отличаются от равновесной, и определяются выражениями (2) и (3), 
и 
– подвижности электронов и дырок, 
- удельное сопротивление.
4. Концентрации неосновных носителей рn и nр при заданной температуре рассчитываются на основе закона действующих масс, определяющее для примесных полупроводников соотношение между концентрациями основных и неосновных носителей:
– (5)
для электронного полупроводника и
- (6)
для дырочного полупроводника.
Расчет неизвестной концентрации носителей тока можно провести, решая совместно равенства (4) и (5) или (4) и (6) в зависимости от типа проводимости полупроводника.
Положение уровня Ферми рассчитывается пользуясь соотношениями (2) и (3) в зависимости от типа полупроводника. Для расчета вероятности события, занят уровень электроном или нет, можно воспользоваться формулой (1).
Таблица 1
| № варианта | Тип полу-про- вод-ника | Удель
ное сопро-тив-
ление
| Подвиж- ности, см2/В.с | Концентрации носителей тока, см -3 | Эффектив- ные плотности уровней, см -3 | Энергии примесных уровней, эВ | |||||||
|
| собст- вен- ных пi | основных | неосновных | |||||||||
| пп | рр | рп | пр | NC | PV | ЕD | ЕА | ||||||
| п -тип Si | 
| ? | __ | ? | __ | 
| __ | -0,02 | __ | ||||
| р -тип Si | ? | __ | ? | __ | 
| __ | 
| __ | +0,16 | ||||
| п -тип Ge | 
| ? | __ | ? | __ |
| __ | -0,012 | __ | ||||
| р -тип Ge | ? | __ | ? | __ | 
| __ | 
| __ | +0,02 | ||||
| п -тип GaAs | 
| ? | __ | ? | __ | 
| __ | -0,01 | __ | ||||
| р -тип GaAs | 0,51 | ? | __ | 
| __ | ? | __ | 
| __ | +0,021 | |||
| п -тип InP | 0,1 | 
| ? | __ | ? | __ | 
| __ | -0,015 | __ | |||
| р -тип InP | ? | __ |
| __ | ? | __ | 
| __ | +.0,12 | ||||
| п -тип InSb | 0,2 .10-3 | 
| ? | __ | ? | __ | 
| __ | -0,012 | __ | |||
| р -тип InSb | 0,1 | ? | __ | 
| __ | ? | __ | 
| __ | +0,05 |
Date: 2015-06-11; view: 455; Нарушение авторских прав