Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Указания к выполнению задачи №1
Прочерки в таблице №1 означают, что при выполнении задачи №1 эти данные не требуются. Ниже приведена сводка формул и выражений, которыми можно воспользоваться при решении задачи №1:
1. Вероятность нахождения электрона на уровне с энергией Е определяется статистикой Ферми-Дирака: , (1) где ЕF - энергия уровня Ферми. 2. Концентрация электронов и дырок в полупроводнике определяются выражениями: , где и (2) , где (3) В этих выражениях NС и РV – эффективные плотности электронных состояний в зоне проводимости и дырочных состояний в валентной зоне соответственно, ЕС и ЕV - энергии дна зоны проводимости и вершины валентной зоны соответственно, и - эффективные массы электрона и дырки соответственно. 3. Электропроводности полупроводника σ в общем случае определяется суммой электронной σп и дырочной σр проводимостей: , (4) где п и р – концентрации электронов и дырок, которые в первом приближении не отличаются от равновесной, и определяются выражениями (2) и (3), и – подвижности электронов и дырок, - удельное сопротивление. 4. Концентрации неосновных носителей рn и nр при заданной температуре рассчитываются на основе закона действующих масс, определяющее для примесных полупроводников соотношение между концентрациями основных и неосновных носителей: – (5) для электронного полупроводника и - (6) для дырочного полупроводника.
Расчет неизвестной концентрации носителей тока можно провести, решая совместно равенства (4) и (5) или (4) и (6) в зависимости от типа проводимости полупроводника. Положение уровня Ферми рассчитывается пользуясь соотношениями (2) и (3) в зависимости от типа полупроводника. Для расчета вероятности события, занят уровень электроном или нет, можно воспользоваться формулой (1).
Таблица 1
|