Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Основой для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем является





кремний

германий

арсенид галлия

керамика

5. Эпитáксия – это технологический процесс

наращивания монокристаллических слоев на полупроводниковую подложку

внедрения примесей в полупроводниковый материал

искусственного окисления кремния

6. Термическое окисление – это

процесс наращивания монокристаллических слоев на полупроводниковую подложку

окисление кремния с целью получения пленки двуокиси кремния

введение необходимых примесей в монокристаллический полупроводник

7. Фотолитография – это

процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических и металлических пленках, нанесенных на поверхность полупроводниковых или диэлектрических подложек

введение необходимых примесей в монокристаллический полупроводник

растворение полупроводникового материала с помощью жидкостного или сухого травителя

8. Легирование – это

растворение полупроводникового материала с помощью растворителя

окисление кремния с помощью создания защитной пленки двуокиси кремния

операция введения необходимых примесей в монокристаллический полупроводник

9. Изоляция интегрального п-р-п транзистора п-р переходом

состояние, когда потенциал подложки транзистора будет наименьшим из потенциалов точек структуры

состояние, когда п-р-п транзистор создается внутри объема полупроводника, изолированного от других частей микросхемы пленкой двуокиси кремния

замена полупроводниковой подложки на сапфировую

10. Интегральный транзистор п-р-п – это биполярный транзистор

интегральных полупроводниковых микросхем

с высоким коэффициентом

с большим количеством эмиттеров

большим количеством коллекторов

11. Недостаток интегральных п-р-п биполярных транзисторов

большая площадь, занимаемая им в микросхеме

появление в его структуре паразитного р-п-р транзистора

появление в его структуре паразитной емкости - коллектор-подложка

12. Супербета – транзистор, это интегральный транзистор с

высоким коэффициентом передачи (до 5000)

большой площадью коллекторного периода

малой площадью коллекторного перехода

Date: 2015-05-09; view: 711; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.006 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию