Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Основой для изготовления полупроводниковых интегральных микросхем являетсякремний германий арсенид галлия керамика 5. Эпитáксия – это технологический процесс наращивания монокристаллических слоев на полупроводниковую подложку внедрения примесей в полупроводниковый материал искусственного окисления кремния 6. Термическое окисление – это процесс наращивания монокристаллических слоев на полупроводниковую подложку окисление кремния с целью получения пленки двуокиси кремния введение необходимых примесей в монокристаллический полупроводник 7. Фотолитография – это процесс получения требуемой конфигурации в диэлектрических и металлических пленках, нанесенных на поверхность полупроводниковых или диэлектрических подложек введение необходимых примесей в монокристаллический полупроводник растворение полупроводникового материала с помощью жидкостного или сухого травителя 8. Легирование – это растворение полупроводникового материала с помощью растворителя окисление кремния с помощью создания защитной пленки двуокиси кремния операция введения необходимых примесей в монокристаллический полупроводник 9. Изоляция интегрального п-р-п транзистора п-р переходом состояние, когда потенциал подложки транзистора будет наименьшим из потенциалов точек структуры состояние, когда п-р-п транзистор создается внутри объема полупроводника, изолированного от других частей микросхемы пленкой двуокиси кремния замена полупроводниковой подложки на сапфировую 10. Интегральный транзистор п-р-п – это биполярный транзистор интегральных полупроводниковых микросхем с высоким коэффициентом с большим количеством эмиттеров большим количеством коллекторов 11. Недостаток интегральных п-р-п биполярных транзисторов большая площадь, занимаемая им в микросхеме появление в его структуре паразитного р-п-р транзистора появление в его структуре паразитной емкости - коллектор-подложка 12. Супербета – транзистор, это интегральный транзистор с высоким коэффициентом передачи (до 5000) большой площадью коллекторного периода малой площадью коллекторного перехода
|