Сопротивление тиристора в открытом состоянии

велико

мало

равно 0

70. Тринистор – это тиристор

работающий при двух полярностях напряжения на приборе

имеющий управляющий электрод

имеющий четыре перехода

71. Симистор – это тиристор

который может проводить ток в двух направлениях

работающий в импульсном режиме

имеющий два управляющих электрода

Тест «Основы электроники» «Полупроводниковые транзисторы»

1. Биполярным транзистором называется:

полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n переходами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции носителей заряда

трехслойный полупроводниковый прибор с двумя выводами

структура p-n-p-n

структура n-p-n-p

2. Бездрейфовые транзисторы – это:

биполярные транзисторы с неравномерным распределением примесей в области базы

биполярные транзисторы с равномерным распределением примесей в области базы и отсутствием электрического поля в области базы

биполярные транзисторы с накоплением избыточного заряда в области эмиттера

биполярные транзисторы с накоплением избыточного заряда в области коллектора

3. Дрейфовый транзистор – это:

биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области базы, и наличием внутреннего электрического поля, способствующего ускоренному перемещению носителей от эмиттера к коллектору

биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области эмиттера

биполярный транзистор с неравномерным распределением примесей в области коллектора

4. Режим работы биполярного транзистора "насыщение":

режим, когда оба перехода закрыты

режим, когда оба перехода открыты

переход коллектор-база закрыт, переход эмиттер-база открыт

5. Режим "отсечки" биполярного транзистора:

режим, когда оба перехода закрыты

режим, когда оба перехода открыты

переход эмиттерный закрыт, а коллекторный – открыт

6. Активный режим работы биполярного транзистора – это:

режим, при котором закрыты оба перехода

режим, при котором открыты оба перехода

переход эмиттер-база открыт, а переход коллектор-база закрыт

7. Ток через переход эмиттер-база p-n-p транзистора имеет две составляющие:

8. Толщина базы биполярного транзистора W и диффузионная длинна пробега неосновных носителей заряда L_D находятся в соотношении:

9. Инжекция носителей в биполярном транзисторе типа p-n-p, это:

перемещение дырок из эмиттера в базу

перемещение дырок из базы в эмиттер

перемещение дырок из базы в коллектор

10. Экстракция дырок в биполярном транзисторе типа p-n-p, это:

перемещение дырок из базы в эмиттер

перемещение дырок из базы в коллектор

перемещение дырок из коллектора в базу

11. При отсутствии инжекции в цепи коллектора ток равен:

12. Наименьшее входное сопротивление имеет схема включения биполярного транзистора:

с общим эмиттером

с общей базой

с общим коллектором

13. Токи в цепях биполярного транзистора связаны между собой:

14. Модуляция толщины базы биполярного транзистора – это:

изменение толщины базы при изменении напряжения на коллекторе

изменение толщины базы при изменении напряжения на эмиттере

изменение толщины эмиттера при изменении напряжения на коллекторе

изменение толщины коллектора при изменении напряжения на эмиттере

15. На переходе эмиттер-база определяющую роль играет емкость:

диффузионная

дрейфовая

диффузионная и дрейфовая

16. Напряжение на переходе база-коллектор биполярного транзистора ограничивается:

опасностью теплового пробоя

опасностью лавинного пробоя

опасностью туннельного пробоя

17. На переходе коллектор база определяющую роль играет емкость:

диффузионная

дрейфовая

обе емкости

18. Коэффициент передачи тока эмиттера в схеме ОБ:

19. Коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с ОБ:

20. Коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ:

21. Коэффициенты и у биполярного транзистора связаны между собой соотношением:

22. Для определения параметров биполярного транзистора наиболее применима система:

Y-параметров

Z-параметров

H-параметров

все три системы

23. H-параметры биполярного транзистора имеют недостатки:

Н-параметры зависят от схемы включения биполярного транзистора

Н-параметры имеют малые значения

Н-параметры имеют большие значения

измерение Н-параметров затруднительно

24. Коэффициент обратной связи по напряжению характеризует:

влияние напряжения коллектора на эмиттерный переход в связи с модуляцией толщины базы

влияние напряжения эмиттерного перехода на коллекторный переход

влияние напряжения коллектора на ток эмиттера

влияние напряжения эмиттера на ток коллектора

25. Собственные (физические) параметры биполярного транзистора это:

параметры, не зависящие от схемы включения биполярного транзистора, определяются конструкцией транзистора

параметры, определяемые схемой включения биполярного транзистора

параметры, зависящие и от схемы включения и от конструкции биполярного транзистора

26. Собственные (физические) параметры биполярного транзистора это параметры:

, , , , ,

, ,

, ,

, , ,

27. Квазистатический режим работы биполярного транзистора – это:

режим работы биполярного транзистора с нагрузкой

режим работы биполярного транзистора с нагрузкой и в таком диапазоне частот, где не сказывается влияние реактивных элементов биполярного транзистора

режим работы биполярного транзистора без нагрузки

28. Рабочая область выходных характеристик биполярного транзистора в квазистатическом режиме ограничена:

, ,

, ,

, ,

29. Импульсный режим работы биполярного транзистора – это: режим работы биполярного транзистора с:

малыми сигналами прямоугольной формы

сигналами большой амплитуды и малой длительности

сигналами малой длительности

30. Длительность переднего фронта импульса при работе биполярного транзистора в импульсном режиме определяется:

временем пролета носителей через базу, накопления заряда в базе

емкостью коллекторного перехода

падением напряжения на сопротивлении базы

31. На усилительные свойства биполярного транзистора сильнее влияет емкость:

эмиттерного перехода

коллекторного перехода

оба перехода влияют одинаково

32. Лучшими частотными свойствами обладает:

дрейфовый биполярный транзистор

бездрейфовый биполярный транзистор

оба обладают одинаковыми частотными свойствами

33. Лучшими частотными свойствами обладает схема:

с общей базой

с общим эмиттером

частотные свойства не зависят от схемы включения биполярного транзистора

34. Менее подвержена влиянию температуры:

схема с общим эмиттером

схема с общей базой

схема с общим коллектором

все схемы реагируют одинаково

35. Основными видами низкочастотного шума в биполярном транзисторе являются:

дробовой эффект и тепловые флуктуации

шум рекомбинации

шум беспорядочного разделения

36. Более низкий уровень шума у:

биполярных транзисторов

полевых транзисторов

уровень шума одинаков

37. Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор:

усилительные свойства которого обусловлены потоком неосновных носителей, инжектированных в область базы

усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем

используемый для выпрямления тока

38. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом состоит из областей:

сток, затвор, исток, канал

эмиттер, база, коллектор

сток, база, исток, затвор

39. На затвор полевого транзистора с управляющим p-n переходом подается напряжение:

открывающее p-n переход между затвором и каналом

запирающее p-n переход между затвором и каналом

двух знаков – отпирающее или запирающее

40. Ток в цепи стока полевого транзистора с управляющим p-n переходом определяется:

напряжением на затворе

напряжением на стоке

напряжением на стоке и затворе

41. Входное сопротивление полевого транзистора с управляющим p-n переходом составляет:

10² Ом

10³ Ом

10⁵ Ом

10¹⁰ Ом

42. Уменьшить ток стока до нуля в полевом транзисторе с управляющим p-n переходом возможно:

с помощью напряжения

с помощью напряжения

с помощью напряжений и

43. Канал полевого транзистора с управляющим p-n переходом имеет наибольшую ширину:

при

при

при

44. Для полевого транзистора с управляющим p-n переходом рассматриваются семейства характеристик:

,

,

,

45. По каналу полевого транзистора протекает ток:

ток основных носителей

ток неосновных носителей

ток основных и неосновных носителей

46. Усилительные свойства полевых транзисторов с управляющим p-n переходом определяются параметрами:

, ,

S, ,

, S,

, ,

47. На затвор МДП со встроенным каналом п -типа подается напряжение:

или

48. Входное сопротивление МДП-транзисторов со встроенным каналом составляет величину:

Ом

Ом

Ом

Ом

49. Режим работы МДП-транзисторов со встроенным каналом типа р при называется:

режим обогащения

режим обеднения

активный режим

50. Режим работы МДП-транзисторов со встроенным каналом типа п при называется:

режим обогащения

режим обеднения

активный режим

51. Режим работы полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом типа п при называется:

режим обогащения

режим обеднения

активный режим

52. Входное сопротивление МДП-транзисторов с индуцированным каналом составляет величину:

Ом

Ом

Ом

Ом

53. Напряжение, при котором возникает индуцированный канал в подложке р -типа или п -типа называется:

напряжением отсечки

пороговым напряжением

напряжением смещения

54. Частотные свойства полевых транзисторов определяются:

емкостями , ,

емкостями , , и конечным временем пролета носителей заряда через канал

емкостями , , и сопротивлением канала

55. Основной причиной шума полевых транзисторов является:

тепловой шум

шум тока утечки затвора

индуцированный шум затвора

56. Какая структура биполярного транзистора названа не правильно:

p-n-p

n-p-n

p-p-n

57. При маркировке полупроводникового прибора в качестве второго элемента использована буква «П». Это означает, что:

В качестве исходного материала при производстве прибора были использованы соединения галлия

Данный прибор относится к классу полупроводниковых биполярных транзисторов

Данный прибор относится к классу полупроводниковых полевых транзисторов

Данный прибор относится к классу приборов, предназначенных для работы в цепях переменного тока

58. Транзистор имеет p-n-p структуру. Какие заряды являются основными для эмиттера?

Электроны

Дырки

Электроны и дырки

59. Полевой транзистор имеет канал n-типа. Какими зарядами образован ток в транзисторе?

Электроны

Дырки

Электроны и дырки

60. При маркировке полупроводниковых приборов первый элемент обозначает материал, из которого изготовлен прибор. Это может быть цифра или буква. Какой цифрой маркируются полупроводниковые приборы, изготовленные из кремния?

61. Движением, каких зарядов, может быть образован электрический ток в полевом транзисторе?

Только электронами

Дырками и ионами

Электронами и дырками

62. Транзистор имеет p-n-p структуру. Какие заряды являются основными в коллекторе?

Электроны

Дырки

Электроны и дырки

63. Транзистор имеет p-n-p структуру. Какие заряды являются основными в базе?

Электроны

Дырки

Электроны и дырки

64. Какая область полевого транзистора названа не правильно?

База

Сток

Исток

Затвор

65. Какие области биполярного транзистора названы не правильно?

Эмиттер

Коллектор

База

Сток

66. Какой буквой кодируются полевые транзисторы при их маркировке?

А

К

Б

Т

П

У

67. Какой буквой кодируются биполярные транзисторы при их маркировке?

А

К

Б

Т

П

У

68. Какой p-n-переход биполярного транзистора назван не правильно?

Эмиттерный

Коллекторный

Базовый

69. Какой из элементов в обозначении полупроводниковых транзисторов на схемах является обязательным?

Прямоугольник

Квадрат

Окружность

Треугольник

70. Как зависит величина входного тока через биполярный транзистор от величины входного напряжения на нем?

Прямо пропорционально

Обратно пропорционально

Зависимость слабовозрастающая

Параболически

Экспоненциально

71. Как зависит величина выходного тока через биполярный транзистор от величины выходного напряжения на нем?

Прямо пропорционально

Обратно пропорционально

Зависимость слабовозрастающая

Параболически

Экспоненциально

72. Сколько p-n-переходов должен иметь биполярный транзистор?

Один

Два

Три

Четыре

73. Входной характеристикой биполярного транзистора, включённого по схеме ОБ, называется зависимость:

I_Э = f(U_ЭБ) при U_КБ = const

I_Э = f(U_КБ) при U_ЭБ = const

I_Э = f(U_ЭБ) при U_ЭК = const

I_Э = f(U_БЭ) при U_ЭК = const

74. Входной характеристикой биполярного транзистора, включённого по схеме ОК, называется зависимость:

I_Б = f(U_БК) при U_ЭК = const

I_к = f(U_БК) при U_ЭК = const

I_Б = f(U_КБ) при U_КБ = const

I_Б = f(U_ЭК) при U_БК = const

75. Входной характеристикой биполярного транзистора, включённого по схеме ОЭ, называется зависимость:

I_Б = f(U_БЭ) при U_КЭ = const

I_Э = f(U_БК) при U_ЭК = const

I_Б = f(U_ЭБ) при U_БК = const

I_Б = f(U_БК) при U_ЭК = const

76. Выходной характеристикой биполярного транзистора, включённого по схеме ОБ, называется зависимость:

I_к = f(U_КБ) при I_Э = const

I_к = f(U_БК) при I_Э = const

I_к = f(U_ЭК) при I_Б = const

I_к = f(U_БЭ) при I_Б = const

77. Выходной характеристикой биполярного транзистора, включённого по схеме ОК, называется зависимость:

I_Э = f(U_ЭК) при I_Б = const

I_Э = f(U_КБ) при I_Б = const

I_Э = f(U_ЭБ) при I_К = const

I_Э = f(U_БЭ) при I_К = const

78. Выходной характеристикой биполярного транзистора, включённого по схеме ОЭ, называется зависимость:

I_К = f(U_КБ) при I_Э = const

I_К = f(U_БК) при I_Э = const

I_К = f(U_БК) при I_Б = const

I_К = f(U_КЭ) при I_Б = const

79. Параметр h₁₁ биполярного транзистора, включённого по схеме ОЭ равен:

h_11Э=U_БЭ / I_Б, при U_КЭ=const

h_11Э=U_БЭ / I_Б, при I_K=const

h_11Э=U_БЭ / I_K, при U_КЭ=const

h_11Э=U_КЭ / I_Б, при I_K =const

80. Параметр h₁₁ биполярного транзистора, включённого по схеме ОБ равен:

h_11Б=U_ЭБ / I_Э, при U_КБ =const

h_11Б=U_ЭБ / I_Э, при I_Б =const

h_11Б=U_ЭБ / I_Б, при U_КБ =const

h_11Б=U_КБ / I_Б, при I_Э =const

81. Параметр h₁₁ биполярного транзистора, включённого по схеме ОК равен:

h_11К=U_БК / I_Б, при U_ЭК =const

h_11К=U_БК / I_Б, при I_Э =const

h_11К=U_БК / I_Э, при U_ЭК =const

h_11К=U_БК / I_К, при I_Э =const

82. Параметр h₁₂ биполярного транзистора, включённого по схеме ОЭ равен:

h_12Э=U_БЭ / U_КЭ, при I_К =const

h_12Э=U_БЭ / U_КЭ, при I_Э =const

h_12Э=U_БЭ / U_КЭ, при I_Б =const

h_12Э=U_КЭ / U_БЭ, при I_К =const

83. Параметр h₁₂ биполярного транзистора, включённого по схеме ОБ равен:

h_12Б=U_ЭБ / U_КБ, при I_К =const

h_12Б=U_ЭБ / U_КБ, при I_Б =const

h_12Б=U_ЭБ / U_КБ, при I_Э =const

h_12Б=U_КБ / U_ЭБ, при I_К =const

84. Параметр h₁₂ биполярного транзистора, включённого по схеме ОК равен:

h_12К=U_БК / U_ЭК, при I_Б =const

h_12К=U_БК / U_ЭК, при I_Э =const

h_12К=U_БК / U_ЭК, при I_К =const

h_12К=U_ЭК / U_БК, при I_Б =const

85. Параметр h₂₁ биполярного транзистора, включённого по схеме ОЭ равен:

h_21Э=I_К / I_Б, при U_КЭ =const

h_21Э=I_К / I_Б, при U_ЭК =const

h_21Э=I_Б / I_К, при U_КЭ =const

h_21Э=I_Э / I_Б, при U_КЭ =const

86. Параметр h₂₁ биполярного транзистора, включённого по схеме ОБ равен:

h_21Б=I_К / I_Э, при U_КБ =const

h_21Б=I_К / I_Э, при U_БК =const

h_21Б=I_Э / I_К, при U_КБ =const

h_21Б=I_Б / I_Э, при U_КБ =const

87. Параметр h₂₁ биполярного транзистора, включённого по схеме ОК равен:

h_21К=I_Э / I_Б, при U_ЭК =const

h_21К=I_Э / I_Б, при U_КЭ =const

h_21К=I_Б / I_Э, при U_ЭК =const

h_21К=I_К / I_Б, при U_ЭК =const

88. Параметр h₂₂ биполярного транзистора, включённого по схеме ОЭ равен:

h_22Э=I_К / U_КЭ, при I_Б =const

h_22Э=I_К / U_КЭ, при I_Э =const

h_22Э=I_Э / U_БЭ, при I_Б =const

h_22Э=I_Б / U_КЭ, при I_Э =const

89. Параметр h₂₂ биполярного транзистора, включённого по схеме ОБ равен:

h_22Э=I_К / U_КБ, при I_Э =const

h_22Э=I_К / U_КБ, при I_Б =const

h_22Э=I_Б / U_БК, при I_Э =const

h_22Э=I_Э / U_КЭ, при I_Б =const

90. Параметр h₂₂ биполярного транзистора, включённого по схеме ОК равен:

h_22К=I_Э / U_ЭК, при I_Б =const

h_22К=I_Э / U_ЭК, при I_К =const

h_22К=I_К / U_ЭК, при I_Б =const

h_22К=I_Б / U_ЭБ, при I_К =const

Тест «Основы электроники» «Интегральные микросхемы»

1. Интегральная схема (микросхема) – это

схема, включающая в свой состав биполярные транзисторы и пассивные элементы

микроэлектронное изделие, выполняющее функцию преобразования сигнала и имеющее высокую плотность электрически соединенных элементов в едином объеме

совокупность навесных активных элементов