Указания к заданию 5

Перерисовав статические характеристики биполярного транзистора, на семействе выходных характеристик строится нагрузочная прямая по точкам, в которых она пересекает оси координат согласно уравнению (31). Однако рабочая точка на выходных характеристиках будет находиться либо в режиме отсечки (транзистор выключен), либо в режиме насыщения (транзистор включен). Эти точки (E и D) показаны на рис. 16 треугольниками. Остаточное напряжение U_КН находится непосредственно по графику как абсцисса точки D, соответствующей режиму насыщения. Для надежного отпирания транзистора и получения малого времени включения необходимо подавать входной ток, в несколько раз больший, чем требуется для начала режима насыщения. Напряжение U_КЭнас рассчитывается по формуле (38), полагая B _i =1, коэффициент насыщения S =2÷5.

Разность напряжений U_КН и U_КЭнас дает падение напряжения на омическом сопротивлении коллектора r_KK. Отсюда:

.

Мощность P_вх, потребляемая входной цепью ключа в состоянии «включено»:

,

где U_БЭнас находят по входной характеристике транзистора при U_КЭ= 0 (т.е. для режима насыщения) для заданного отпирающего тока базы I⁺_Б. (см. рис. 20).

Мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора в состоянии «включено», равна:

P_Квкл=I_КН∙U_КН.

Сопротивление транзистора в состоянии «включено», равно:

R_вкл=U_КН / I_КН.