Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?

Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Переходные процессы в полевом транзисторе





Инерционность МДП-транзисторных ключей обусловлена главным образом перезарядом емкостей, входящих в состав комплексной нагрузки. Инерционность канала, характеризуемую постоянной времени tS (70), при необходимости можно учесть складывая tS с постоянной времени перезаряда емкостей.

Переходные процессы в МДП-транзисторном ключе показаны на рис.33.

Пусть в исходном состоянии транзистор открыт и на нем падает небольшое остаточное напряжение. При поступлении запирающего напряжения ток в транзисторе уменьшается до нуля с весьма малой постоянной времени tS – практически мгновенно. После запирания транзистора емкость СН заряжается от источника питания EC через резистор RC с постоянной времени τС = RC СН. Процесс заряда описывается простейшей экспоненциальной функцией:

Длительность фронта напряжения на уровне 0,9 EC составляет:

tф = 2,3 RCCН (76)

Заменив сопротивление RC отношением EC /IСН, можно записать (76) в более общем виде:

tф = 2,3 (EC CН /IСН) (76а)

Отпирание ключа и формирование среза импульса напряжения протекает несколько сложнее. После подачи отпирающего сигнала ток IC практически мгновенно (с постоянной времени tS) достигает значения, определяемого формулой (64):

.

Этим током начинает разряжаться емкость СН. По мере разряда емкости напряжение на стоке UC уменьшается. До тех пор, пока оно остается больше напряжения насыщения UНАС= -UПОР, транзистор работает на пологом участке характеристики и ток сохраняет значение IC(0). Когда напряжение UC становится меньше UНАС, ток IC начинает падать, стремясь в пределе к значению IСН. Длительность среза положительного импульса оказывается значительно меньше длительности фронта. Для расчетов принята приближенная формула:

tc=1,5[ECCН / IC(0)] (77)


Постановка и содержание заданий

Для того чтобы провести анализ конкретного электрического прибора или устройства, как правило, данные устройства или приборы представляются в виде эквивалентной электрической схемы замещения, состоящей из источников ЭДС, напряжений и активных и реактивных сопротивлений (индуктивностей и конденсаторов). Результаты расчетов эквивалентной электрической схемы переносят на реальные электрические приборы или устройства.



Ввиду значительного объема информации по расчетам параметров электрических цепей и их элементов в настоящих методических указаниях поставлена задача помочь студентам ориентироваться в методах анализа электрических цепей, дать рекомендации по методикам и особенностям расчета параметров электрических цепей и их элементов, рассмотрен порядок их выполнения.






Date: 2015-05-09; view: 480; Нарушение авторских прав

mydocx.ru - 2015-2019 year. (0.005 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию