Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Параметры биполярного транзистораБиполярный транзистор в схемотехнических приложениях представляют как четырехполюсник и рассчитывают его параметры для схемы, изображённой на рисунке 1.7.10.1. Для транзистора как четырехполюсника характерно два значения тока I 1 и I 2, и два значения напряжения U 1 и U 2. Рис. 1.7.10.1. Изображение транзистора в виде четырёхполюсника В зависимости от того, какие из этих параметров выбраны в качестве входных, а какие - в качестве выходных параметров, можно построить три системы формальных параметров транзистора как четырехполюсника. Это системы z - параметров, y - параметров и h - параметров. Рассмотрим их более подробно, используя линейное приближение. Система z - параметров Зададим в качестве входных параметров биполярного транзистора как четырехполюсника токи I 1 и I 2, а напряжения U 1 и U 2 будем определять как функции этих токов I1 и I2. Тогда связь напряжений и токов в линейном приближении будет иметь вид . Коэффициенты в этих уравнениях определяются следующим образом: - определяются как входное и выходное сопротивления. - сопротивление обратной и прямой передачи. Измерение z -параметров происходят в режиме холостого хода на входе (I 1 = 0) и выходе (I 2 = 0). Реализовать режим разомкнутого входа I 1 = 0 для биполярного транзистора достаточно просто (сопротивление эмиттерного перехода составляет всего десятки Ом и поэтому размыкающее сопротивление в цепи эмиттера несколько КОм уже позволяет считать I 1 = 0). Реализовать режим разомкнутого выхода I 2 = 0 для биполярного транзистора сложно (сопротивление коллекторного перехода равняется десяткам МОм и размыкающие сопротивления в цепи коллектора, поэтому должно быть порядка ГОм). Система y - параметров Зададим в качестве входных параметров биполярного транзистора как четырехполюсника напряжения U1 и U2, а токи I1 и I2, будем определять как функции этих напряжений U1 и U2. Тогда связь токов и напряжений в линейном приближении будет иметь вид . Коэффициенты в уравнениях имеют размерность проводимости и определяются следующим образом: - входная и выходная проводимость. - проводимость обратной и прямой передачи. Измерение y - параметров происходят в режиме короткого замыкания на входе (U1 = 0) и выходе (U 2 = 0). Реализовать режим короткого замыкания на входе U 1 = 0 для биполярного транзистора достаточно сложно (сопротивление эмиттерного перехода составляет всего десятки Ом и поэтому замыкающее сопротивление в цепи эмиттера должно быть доли Ома, что достаточно сложно). Реализовать режим короткого замыкания на выходе U 2 = 0 для биполярного транзистора просто (сопротивление коллекторного перехода равняется десяткам Мом и замыкающие сопротивления в цепи коллектора может быть даже сотни Ом). Система h - параметров Система h- параметров используется как комбинированная система из двух предыдущих, причем из соображений удобства измерения параметров биполярного транзистора выбирается режим короткого замыкания на выходе (U2 = 0) и режим холостого хода на входе (I1 = 0). Поэтому, для системы h -параметров в качестве входных параметров задается ток I1 и напряжение U2, а в качестве выходных параметров рассчитываются ток I2 и напряжение U1 при этом система, описывающая связь входных I1, U2 и выходных I2, U1 параметров выглядит следующим образом: . Значение коэффициентов в уравнении для h- параметров имеют следующий вид: - входное сопротивление при коротком замыкании на выходе; - коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе. Эквивалентная схема четырехполюсника с h -параметрами приведена на рисунке 1.7.10.2. Из этой схемы легко увидеть, что режим короткого замыкания на выходе или холостого хода на входе позволяет измерить тот или иной h- параметр.
Рис. 1.7.10.2. Эквивалентная схема четырехполюсника с h -параметрами Рассмотрим h -параметры биполярного транзистора в схеме с общей базой. Для этого воспользуемся эквивалентной схемой биполярного транзистора, показанной на рисунке. Получаем ; ; ; . Для биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером выражения описывающие h -параметры будет иметь следующий вид ; ; ; . 1.7.11. Статические характеристики биполярных транзисторов Обычно анализируют входные и выходные характеристики биполярного транзистора в схемах с общей базой и общим эмиттером. Для определенности будем рассматривать p-n-p -транзистор.
|