Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Устройство и схемы включения биполярного транзистораБиполярный транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими электронно-дырочными переходами, тремя или более выводами. Усилительные свойства биполярных транзисторов обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда. Структура биполярных и транзисторов приведена на рисунке 1.7.7.1.
Взаимодействие между p-n- переходами осуществляется при малой толщине области между переходами. В этом случае носители заряда, инжектированные через переход, смещенный в прямом направлении, могут преодолеть малую базовую область и дойти до второго перехода. Второй переход смещен в обратном направлении. При отсутствии инжекции носителей в область базы ток второго, обратно смещенного перехода мал. При наличии инжекции носителей в базовую область, достигшие второго перехода носители изменяют ток, протекающий через обратно смещенный переход. То есть, ток первого перехода управляет током второго перехода. Область транзистора, используемая в режиме инжекции, называется эмиттером. Область транзистора, осуществляющая экстракцию (удаление) носителей заряда называется коллектором. Средняя область транзистора называется базой. Электронно-дырочный переход, расположенный между эмиттером и базой, называется эмиттерным переходом. Электронно-дырочный переход, расположенный между коллектором и базой, называется коллекторным переходом. Для величин, относящихся к эмиттеру, коллектору и базе применяются индексы " э" или латинская буква " e ", " к " или " c ", " б " или "b " соответственно. Например, токи в соответствующих проводниках, обозначаются . Напряжения между соответствующими электродами обозначаются двойными индексами: -напряжение между базой и эмиттером. Различают три схемы включения транзистора (см. рис. 1.7.7.2.): · С общим эмиттером (ОЭ) (см. рис. 1.7.7.2. а)) · С общей базой (ОБ) (см. рис. 1.7.7.2. б)) · С общим коллектором (ОК) (см. рис. 1.7.7.2. в)) Общим является электрод, потенциал которого принимается за нулевой.
Рис. 1.7.7.2. Схемы включения транзистора:
|