Полевые транзисторы со встроенным каналом

Структура полевого транзистора со встроенным каналом представляет собой полупроводник с высоким удельным сопротивлением (называется подложкой), где созданы две пространственно разнесенные сильно легированные области с нанесенными металлическими электродами - сток и исток (рис 1.7.4.1.). Между стоком и истоком в поверхностном слое подложки создается канал с тем же типом проводимость, что и сток и исток.

Рис 1.7.4.1. Структура полевого транзистора со встроенным каналом

Поверхность подложки между стоком и истоком покрывается пленкой диэлектрика, на которую сверху наносится металлический электрод - затвор.

По структуре используемых материалов -металл-диэлектрик-полупроводник - полевые транзисторы с изолированным затвором также называют МДП - транзисторами.

Полевые транзисторы в основном изготавливаются на основе кристалла кремния, при этом диэлектрическая пленка под электродом затвора создается окислением поверхности подложки. То есть получается следующая структура затвора: металл-окисел-полупроводник - и транзисторы с изолированным затвором называют МОП- транзисторами.

Наличие встроенного проводящего канала (как и для случая полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом рассматривается схема включения с общим истоком) приводит к тому, что при нулевом напряжении на затворе существует некоторый начальный ток стока (ток ).

Уменьшение напряжения на затворе приводит к снижению концентрации носителей заряда в канале и, соответственно, к снижению тока стока.

Увеличение напряжения на затворе вызывает повышение концентрации свободных носителей заряда в канале и рост тока стока.

Соответственно транзистор работает в режиме обеднения (), либо в режиме обогащения ().

Статические выходные характеристики и характеристики передачи полевого транзистора со встроенным n -каналам приведены на рисунке 1.7.4.2..

Рис 1.7.4.2. Статические выходные характеристики и характеристики передачи полевого транзистора со встроенным n -каналам