Полевые транзисторы с индуцированным каналом

Как и ранее рассмотрим включение полевого транзистора в схему с общим истоком (см рис. 1.7.5.1.). При этом на сток подается положительное напряжение. При отсутствии напряжения на затворе начальный ток сток незначителен, так как он определяется током обратно смещенного электронно-дырочного перехода (те током неосновных носителей).

Рис. 1.7.5.1.

При отсутствии напряжения на электродах транзистора в теле полупроводника существуют два электронно-дырочных перехода (см. рис. 1.7.5.2.)

Рис. 1.7.5.2.	Рис. 1.7.5.3.

Повышение напряжения на затворе () создает электрическое поле, которое проникает в подложку и приводит вначале к обеднению основными носителями тонкого слоя непосредственно под затвором (в рассматриваемом случае дырками) (см. рис. 1.7.5.3.).

При некотором значении напряжения на затворе, получившем название порогового, под затвором возникает слой с определенной концентрацией электронов (инверсный слой). Тем самым образуется канал между истоком и стоком и в цепи стока начинает протекать ток, обусловленный движением электронов.

Дальнейшее увеличение напряжения на затворе () приводит как к увеличению поперечного сечения канала, так и концентрации электронов в нем и, следовательно, тока стока.

Ток затвора очень мал, так как он определяется током утечки через диэлектрик.

Подача положительного напряжения на сток вызывает протекание тока стока, а также изменение конфигурации электронно-дырочного перехода (см. рис. 1.7.5.4.).

Рис. 1.7.5.4.	Рис. 1.7.5.5.

При некотором напряжении на стоке (U_синас ) происходит практически полное перекрытие сечения индуцированного канала и ток стока далее не возрастает (см. рис. 1.7.5.5.).

Выходные статические характеристики транзистора с индуцированным каналам аналогичны характеристикам транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Статические характеристики передачи полевых транзисторов с индуцированным каналом начинаются со значения .

а)

б)

Рис. 1.7.5.6. а) Выходные статические характеристики полевого транзистора с индуцированным каналам. б) Статические характеристики передачи полевых транзисторов с индуцированным каналом