Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Методы изоляции элементов в ППИМС
|
|
Изоляция элементов обратно смещенными pn-переходами.
На рисунке 4.1а представлен фрагмент ППИМС с двумя биполярными транзисторами и с изоляцией обратно смещенными pn-переходами. На рисунке 4.1б представлена эквивалентная схема этого фрагмента. На подложку подается наибольшее отрицательное напряжение от источника питания, поэтому pn-переходы между коллектором БТ и подложкой оказываются запертыми и транзисторы изолированы друг от друга. Однако следует отметить, что обратно смещенные pn-переходы обладают барьерной емкостью СБ и с увеличением частоты возрастает паразитная связь между элементами схемы.
а) б)
Рисунок 4.1
Резистивная изоляция.
Резистивная изоляция элементов ППИМС (рисунок 4.2а) отличается от предыдущей тем, что слаболегированная подложка берется того же типа, что и коллекторные области БТ. Паразитная связь между элементами схемы существует всегда, но не зависит от частоты. Поэтому на высоких частотах она может оказаться меньше, чем в предыдущем случае.
а) б)
Рисунок 4.2
Date: 2015-05-09; view: 758; Нарушение авторских прав