Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Интегральные микросхемы
|
|
В полупроводниковых интегральных микросхемах (ППИМС) элементы выполнены в объеме или часть из них на поверхности полупроводникового материала, чаще всего монокристаллического кремния. В ППИМС все элементы (активные и пассивные) реализуются на основе биполярных и МДП-транзис -торных структурах. В связи с этим различают интегральные микросхемы на биполярных транзисторах и МДП - интегральные микросхемы.
Обычно каждому элементу схемы соответствует локальная область полупроводникового материала, свойства и характеристики которой обес- печивают выполнение функций дискретных элементов (транзисторов, резисторов, конденсаторов и др.). Каждая локальная область, выполняющая функции конкретного элемента, требует изоляции от других. Соединения между элементами согласно электрической схеме обычно выполняют с помо- щью металлических пленочных проводников, напыленных на окисную поверхность, покрывающей полупроводниковый кристалл. Такой кристалл заключается в герметизированный корпус и имеет систему выводов для практического использования микросхемы. Таким образом, полупроводни- ковая микросхема представляет собой законченную конструкцию.
Различают так же следующие разновидности полупроводниковых интегральных микросхем: многокристальные, совмещенные, с балочными выводами и на сапфировой подложке [5].
Как уже указывалось, большинство полупроводниковых микросхем изготовляют на основе монокристаллического кремния. Это объясняется тем, что кремний имеет перед германием ряд физических и технологических преимуществ, важных для создания элементов интегральных микросхем. Основные физические преимущества кремниевых микросхем следующие:
- большая ширина запрещенной зоны кремния и меньшие при этом обратные токи переходов, что уменьшает паразитные связи между элементами микросхем, позволяет создавать микросхемы, работоспособные при -повышенных температурах (до +120°С), и микромощные схемы, работающие при малых уровнях рабочих токов (менее 1 мкА);
- более высокий порог отпирания, а, следовательно, и большая статическая помехоустойчивость;
- меньшая диэлектрическая проницаемость, что обусловливает меньшие барьерные емкости переходов при той же их площади, что позволяет увеличить быстродействие микросхем.
Date: 2015-05-09; view: 620; Нарушение авторских прав