Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?

Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Порядок проведения экспериментов





Эксперимент 1. Определение статического коэффициента передачи транзистора по постоянному току βDC в схеме с ОЭ.

Построить и включить схему, изображенную на рисунке 3.4.

Рисунок3. 4 - Схема включения биполярного транзистора с ОЭ

 

Записать результаты измерения тока коллектора IK, тока базы IБ и напря­жения коллектор-эмиттер UKЭ в таблицу 3.1 раздела "Результаты эксперимен­тов". По полученным результатам подсчитать статический коэффициент пере­дачи тока βDC транзистора. Повторить измерения и расчет коэффициента пере­дачи для значений Eb = 2,68В; 5В. Результаты занести в таблицу.

Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора.

На схеме рисунок 3.4 изменить номинал источника ЭДС Eb = 0 В. Вклю­чить схему. Записать результаты измерения тока коллектора IK для данных зна­чений тока базы IБ и напряжения коллектор-эмиттер UKЭ в раздел "Результаты экспериментов".

Эксперимент 3. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) В схеме (рисунок 3.4) провести измерения тока коллектора Ik для каж­дого значения Ек и Еb и заполнить таблицу 3.2 в разделе "Результаты экспери­ментов". По данным таблицы построить семейство выходных характеристик транзистора с ОЭ, график зависимости Ik от Ек, при различных значениях тока базы IБ.

б) Собрать схему, изображенную на рисунке 3.5. Отобразить осциллограмму выходной характеристики, соблюдая мас­штаб, в разделе "Результаты экспериментов". Повторить измерения для каждо­го значения Еb из таблицы 3.2. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы отобразить в разделе "Результаты экспериментов" на одном графике.

в) По выходной характеристике найти коэффициент передачи транзисто­ра по переменному току βAC при изменении базового тока с 10 мА до 30 мА, Ек = 10 В. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".

Рисунок 3. 5 - Схема для получения выходных характеристик транзистора с ОЭ

 



Эксперимент 4. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

а) Собрать схему (рисунок 3.4). Установить значение напря­жения источника Ек равным 10 В и провести измерения тока базы IБ, напряже­ния база-эмиттер UБЭ тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения ис­точника Еb в соответствии с таблицей 3.3 в разделе "Результаты эксперимен­тов". Обратить внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера.

б) В разделе "Результаты экспериментов" по данным таблицы 3.3 постро­ить график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.

в) Собрать схему, изображенную на рис. 3.6. Вклю­чить схему. Отобразить входную характеристику транзистора, соблюдая мас­штаб, в разделе "Результаты экспериментов".

Рисунок 3.6 - Схема для получения входных характеристик транзистора с ОЭ

 

г) По входной характеристике найти дифференциальное сопротивление Rbx при изменении базового тока с 10мА до 30 мА. Результат записать в раздел "Результаты экс­периментов".






Date: 2015-05-09; view: 167; Нарушение авторских прав

mydocx.ru - 2015-2019 year. (0.007 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию