Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Порядок проведения экспериментовЭксперимент 1. Определение статического коэффициента передачи транзистора по постоянному току βDC в схеме с ОЭ. Построить и включить схему, изображенную на рисунке 3.4.
Записать результаты измерения тока коллектора IK, тока базы IБ и напряжения коллектор-эмиттер UKЭ в таблицу 3.1 раздела "Результаты экспериментов". По полученным результатам подсчитать статический коэффициент передачи тока βDC транзистора. Повторить измерения и расчет коэффициента передачи для значений Eb = 2,68В; 5В. Результаты занести в таблицу. Эксперимент 2. Измерение обратного тока коллектора. На схеме рисунок 3.4 изменить номинал источника ЭДС Eb = 0 В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора IK для данных значений тока базы IБ и напряжения коллектор-эмиттер UKЭ в раздел "Результаты экспериментов". Эксперимент 3. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с ОЭ. а) В схеме (рисунок 3.4) провести измерения тока коллектора Ik для каждого значения Ек и Еb и заполнить таблицу 3.2 в разделе "Результаты экспериментов". По данным таблицы построить семейство выходных характеристик транзистора с ОЭ, график зависимости Ik от Ек, при различных значениях тока базы IБ. б) Собрать схему, изображенную на рисунке 3.5. Отобразить осциллограмму выходной характеристики, соблюдая масштаб, в разделе "Результаты экспериментов". Повторить измерения для каждого значения Еb из таблицы 3.2. Осциллограммы выходных характеристик для разных токов базы отобразить в разделе "Результаты экспериментов" на одном графике. в) По выходной характеристике найти коэффициент передачи транзистора по переменному току βAC при изменении базового тока с 10 мА до 30 мА, Ек = 10 В. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".
Эксперимент 4. Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОЭ. а) Собрать схему (рисунок 3.4). Установить значение напряжения источника Ек равным 10 В и провести измерения тока базы IБ, напряжения база-эмиттер UБЭ тока эмиттера IЭ для различных значений напряжения источника Еb в соответствии с таблицей 3.3 в разделе "Результаты экспериментов". Обратить внимание, что коллекторный ток примерно равен току в цепи эмиттера. б) В разделе "Результаты экспериментов" по данным таблицы 3.3 построить график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер. в) Собрать схему, изображенную на рис. 3.6. Включить схему. Отобразить входную характеристику транзистора, соблюдая масштаб, в разделе "Результаты экспериментов".
г) По входной характеристике найти дифференциальное сопротивление Rbx при изменении базового тока с 10мА до 30 мА. Результат записать в раздел "Результаты экспериментов".
|