Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






А) для схемы с ОБ; б) для схемы с ОЭ; в) в h-параметрах





 

 

Рис.1.17. К расчёту h-параметров БПТ с ОЭ:

а) входноесопротивление h11 =dUбэ /dIб , при Uкэ = const;

б) коэф. ОС по напряжению h12= dUбэ /dUкэ , при Iб = const;

в) коэф. усиления по току h21 =dIk / dIб , при Uкэ = const;

г) выходная проводимость h22 =dIk /dUкэ, при Iб = const.

Рис.1.18. Классификация ПТ.

Рис.1.19. Структуры полевых транзисторов:

а) ПТ с управляющим n -каналом;

б) УГО ПТ с управляющим n- каналом и р -каналом;

в) ПТ МДП-типа с встроенным р -каналом;

г) УГО МДП-транзисторов с встроенными n- и р -каналом.

Рис.1.20. Структуры полевых транзисторов:

а) ПТ МДП-типа с индуцированным р -каналом;

б) УГО ПТ МДП-типа с индуцированными n- и р -каналом;

В) МНОП-структура с изолированным затвором;

Г) ЛИЗМОП-структура с плавающим затвором.

Рис.1.21. Схемы включения полевых транзисторов с управляющим p-n- переходом с p- каналом:







Date: 2015-05-09; view: 579; Нарушение авторских прав



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.005 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию