Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Фундаментальная система уравнений для полупроводников
Любой полупроводниковый прибор может находиться в одном из трех основных физических состояниях состояний: - теплового (аналогия – озеро) В каждой точке объема полупроводника и в любой момент времени идут уравновешивающие друг друга процессы генерации и рекомбинации носителей, но токи не текут. Все производные по пространственным переменным и по времени в модельных уравнениях равны нулю; - стационарном (аналогия – равнинная река) В каждой точке объема полупроводника идут неуравновешенные процессы генерации и рекомбинации, токи текут, но их величины не меняются во времени, а только от точки к точке. Все производные по времени в модельных уравнениях равны нулю; - нестационарном (аналогия – горная река) В каждой точке объема полупроводника идут неуравновешенные процессы генерации и рекомбинации. Токи текут и меняются во времени и от точки к точке. В модельных уравнениях присутствуют все производные по пространству и времени. Система уравнений в частных производных, описывающих поведение полупроводникового прибора для всех трех состояний, называется фундаментальной системой уравнений (ФСУ). Конструктивно эта система состоит из трех групп уравнений: - уравнения для плотностей токов; - уравнения непрерывности (переноса) для электронов и дырок (закон сохранения массы); - уравнения Пуассона. Фундаментальная роль этих уравнений в физике работы полупроводникового прибора аналогична роли системы уравнений Максвелла для теории электромагнитных волн. Уравнения, описывающие плотности токов Для одномерного случая (все величины – скалярные): . (1.29) Для трехмерного случая (плотности токов, напряженности полей и градиенты концентраций – векторные величины): . (1.30) В данном выражении , , а символом обозначен оператор Гамильтона (или набла-оператор), который действует на скалярную функцию как , . Общая плотность тока . (1.31) где индекс n относится к электронным компонентам, а индекс p к дырочным. Уравнения непрерывности: Уравнения непрерывности записывают отдельно для электронной и дырочной составляющей токов. В одномерном случае они имеют следующий вид: (1.32) Для трехмерного случая в векторной форме: . (1.33) В данном выражении есть дивергенция векторного поля . . (1.34) Она характеризует скорость накопления (или рассасывания) носителей заряда в элементарном объеме полупроводника, обусловленную неравенством втекающих и вытекающих потоков носителей. Часто уравнение непрерывности называют уравнением переноса или законом сохранения массы. Уравнение Пуассона: Если величина электрического потенциала j изменяется в теле полупроводника от точки к точке (потенциал пространственно распределен в системе координат X,Y,Z), то напряженность электрического поля есть . (1.35) В данной формуле , - градиент скалярной функции j. В одномерном случае напряженность поля есть пространственная производная от потенциала, взятая с обратным знаком . (1.36) Единица измерения пространственных компонент напряженности Е равна вольт на сантиметр (В/см). Уравнение, которое определяет взаимосвязь между напряженностью электрического поля E и распределением системы зарядов в исследуемом объеме пространства, называется уравнением Пуассона. Для одномерного случая уравнение имеет вид: , (1.37) где e0 – диэлектрическая проницаемость вакуума; e – относительна диэлектрическая проницаемость материала, из которого сделан полупроводниковый прибор. Для кремния e равняется 11,7, для арсенида галлия – 13,1, для германия – 16. Величина e0 равна 8,854×10-14 Ф/см. В трехмерном случае . (1.38) Легко видеть, что если Е=const, то уравнение Пуассона переходит в уравнение электронейтральности . (1.39) По сути, уравнение Пуассона есть дифференциальная форма записи закона Гаусса: поток вектора напряженности электрического поля через любую замкнутую поверхность равен сумме всех зарядов, заключенных в данном объеме (деленной на e×e0).
|