Контакт электронного и дырочного полупроводников

Граница соприкосновения двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой дырочную проводимость, называется электронно-дырочным переходом или P-n - переходом. Он имеет большое практическое значение, являясь основой работы многих полупроводниковых приборов. Р-n - переход нельзя осуществить просто механическим соединением двух полупроводников. Обычно области различной проводимости создают либо при выращивании кристаллов, либо при соответствующей их обработке.

Рассмотрим физические процессы, происходящие в p-n -переходе (рис. 49). Пусть донорный полупроводник приводится в контакт (рис.49, а) с акцепторным полупроводником. Электроны из n - полупроводника, где их концентрация выше, будут диффундировать в р - полупроводник, где их концентрация ниже. Диффузия же дырок происходит в обратном направлении - pn.

В n- полупроводнике из-за ухода электронов вблизи границы остается нескомпенсированный положительный объемный заряд неподвижных ионизированных донорных атомов, а в р- полупроводнике из-за ухода дырок вблизи границы образуется отрицательный объемный заряд неподвижных ионизированных акцепторов c двойным электрическим слоем, поле которого направленно от области n к р, препятствует дальнейшему переходу электронов в n-p и дырок в p-n. Если концентрация доноров и акцепторов в полупроводниках n- и р- типа одинакова, то толщины слоев d₁ и d₂, в которых локализуются неподвижные заряды, равны.

Толщина d слоя р-n - перехода в полупроводниках составляет примерно 10^-6 – 10^-7 м, а контактная разность потенциалов – десятые доли вольт. Носители тока способны преодолевать такую разность потенциалов лишь при температуре в несколько тысяч градусов, т.е. при обычных температурах равновесный контактный слой является запирающим (характеризуется повышенным сопротивлением).

Сопротивление запирающего слоя можно изменить с помощью внешнего электрического поля. Если приложенное к р-n - переходу внешнее электрическое поле направлено от n -полупроводника к p - полупроводнику (рис.50,а), т.е. совпадает с полем контактного слоя, то оно вызывает движение электронов в n - полупроводнике и дырок в р -полупроводнике от границы р-n - перехода в противоположные стороны. В результате запирающий слой расширится и его сопротивление возрастет. Направление внешнего поля, расширяющего запирающий слой; называется запирающим (обратным). В нем электрический ток через р-n - переход практически не проходит, а образуется лишь за счет неосновных носителей тока (электронов в р - полупроводнике и дырок в n —полупроводнике). Если приложенное к р-n - переходам внешнее электрическое поле направлено противоположно полю контактного слоя (рис.50,б), то оно вызывает движение электронов в n - полупроводнике и дырок в р - полупроводнике к границе р-n - перехода навстречу друг другу. В этой области они рекомбинируют, толщина контактного слоя и его сопротивление уменьшаются. Следовательно, здесь электрический ток проходит сквозь р-n - переход в направлении от р- полупроводника к n -полупроводнику, называемому пропускным (прямым).

Таким образом, р-n- переход (подобно контакту металла с полупроводником) обладает односторонней (вентильной) проводимостью. На рис.51 представлена вольт - амперная характеристика p-n -перехода. При пропускном напряжении внешнее электрическое поле способствует движению основных носителей тока к границе р-n- перехода. В результате толщина контактного слоя уменьшается. Соответственно умень-

шается и сопротивление перехода, а сила тока становится большой (правая ветвь, рис. 51). Это направление тока называется прямым. При запирающем (обратном) напряжении внешнее электрическое поле препятствует движению основных носителей тока к границе р-n- перехода и способствует движению основных носителей тока, концентрация которых в полупроводниках невелика. Это приводит к увеличению толщины контактного слоя, обедненного основными носителями тока. Соответственно увеличивается и сопротивление перехода. Поэтому в данном случае через р-n - переход протекает только небольшой ток, называемый обратным, полностью обусловленный неосновными носителями тока (левая ветвь, рис. 51). Быстрое возрастание такого тока означает пробой контактного слоя и его нарушение. При включении в сеть переменного тока р-n -переходы действуют как выпрямители.