Обработка результатов измерений. 1. По данным таблицы построить график зависимости lnR от 1/T

1. По данным таблицы построить график зависимости ln R от 1/ T.

2. Методом наименьших квадратов найти коэффициент пропорциональности a зависимости ln R от 1/ T.

3. По найденному значению a найти энергию активации примеси E _а по формуле (3). Результат представить в Дж и эВ.

4. Определить относительную и абсолютную ошибку определения E _а. Ошибку определения а найти по формуле:

,

где S_a определяется по формуле:

,

где t – коэффициент Стьюдента.

Контрольные вопросы

1. Привести структуру энергетических зон проводника и диэлектрика.

2. В чём различие между зависимостью от температуры сопротивления полупроводников и металлов?

3. Чем обусловливается зависимость металлов от температуры?

4. Каков механизм собственной проводимости полупроводников?

5. Чем обусловливается зависимость собственных полупроводников от температуры?

6. Какова структура энергетических зон собственных полупроводников?

7. Каков механизм примесной проводимости полупроводников (донорной и акцепторной)?

8. Какова структура энергетических зон донорных и акцепторных полупроводников?

9. Чем обусловливается зависимость примесных полупроводников от температуры?