Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Эквивалентная схема биполярного транзистора
|
|
Полученные в предыдущих разделах соотношения описывают взаимосвязь входных и выходных параметров биполярного транзистора в аналитической форме. Существует и другая форма представления этой взаимосвязи в виде эквивалентных схем, когда реальные процессы в нелинейных устройствах можно заменить на набор активных (источники тока и напряжения) и пассивных (резисторы, емкости) элементов, адекватно описывающих взаимосвязь входных и выходных параметров. На основе рассмотренных характеристик представим эквивалентную схему транзистора при включении по схеме с общей базой в следующем виде. Основные пассивные элементы (сопротивления r э, r к, r б, емкости коллекторного С Б и эмиттерного С Д переходов), активные элементы (генератор тока aI э в коллекторной цепи, источник ЭДС m эк U к в эмиттерной цепи, отражающей обратную связь между эмиттером и коллектором) изображены на эквивалентной схеме (рис. 5.17).
Рис. 5.17. Эквивалентная схема биполярного транзистора в схеме с общей базой
Приведенная эквивалентная схема справедлива для рассмотрения статических характеристик биполярного транзистора, а также для рассмотрения этих характеристик в области низких частот. Эта схема называется Т-образной эквивалентной схемой, отражает основные физические процессы, происходящие в транзисторе, и удобна для их анализа (рис. 5.18).
Рис. 5.18. Эквивалентная схема биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Основные параметры эквивалентной схемы транзистора выражаются через конструктивно-технологические параметры следующим образом:
;
.
Величины коэффициентов a, r э, r к, m эк для биполярного транзистора лежат в пределах:
a = 0,95÷0,995, r э = 1÷10 Ом, r к = 10÷106 Ом, m эк = 10-3÷10-5.
Для биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером эквивалентная схема выглядит аналогично.
Основные параметры эквивалентной схемы имеют тот же вид, что и в схеме с общей базой, кроме С к* и r к*, равных: С к* = С к(b + 1), r к* = r к(b + 1).
Date: 2015-05-05; view: 613; Нарушение авторских прав