Импульсный стабилизатор напряжения с ШИМ

Микросхема импульсного управления КР142ЕП1 обеспечивает работу ИСН в основном в релейном двухпозиционном режиме, но в ИС предусмотрена также возможность для создания стабилизатора напряжения с широтно-импульсной модуляцией.

Например, если по тем или иным причинам требуется, чтобы работа порогового устройства была синхронизирована с частотой какого-либо внешнего устройства, то его синхронизирующий сигнал подают на выв. 14 и 15 ИС. Часто в качестве подобного устройства используют генератор прямоугольных импульсов - задающий генератор. Переменное напряжение прямоугольной формы такого генератора с помощью дифференцирующей RC цепочки преобразуется в пилообразное напряжение U _пил. В качестве резистора в этом случае используется R 10 микросхемы, а внешний конденсатор применяется небольшой емкости.

В качестве узла ввода этого сигнала используются диоды VD 3... VD 6, включенные между дифференциальным усилителем и триггером Шмитта. Таким образом, на резисторе R 10 осуществляется сравнение двух напряжений – первое пропорционально изменению напряжения на нагрузке (как и в ИСН с РЭ) и снимается оно с коллектора VT 11 дифференциального усилителя постоянного тока U _упт, а второе – напряжение пилообразной формы U _пил. В результате сравнения этих напряжений выделяется сигнал рассогласования, который подается на инвертирующий каскад VT 7.

Напряжение пилообразной формы должно иметь размах, достаточный для перевода VT 7 в состояние насыщения. Последний в открытом состоянии работает в режиме, близком к насыщению. Задержка моментов времени, в которые VT 7 выходит из насыщения, по отношению к переднему фронту пилообразного напряжения зависит от того, насколько открыты транзисторы VT 7, VT 8. Если транзисторы почти заперты, а среднее напряжение между их базой и эмиттером, задаваемое потенциалом коллектора VT 8, мало, то оно сравняется с линейно уменьшающимся напряжением на выходе выпрямителя только в конце такта.

При возрастании потенциала на коллекторе VT 11(т.е. при увеличении напряжения на нагрузке) растет и напряжение U _упт. Такому напряжению соответствует большая пауза между импульсами напряжения (меньшая длительность импульсов напряжения), снимаемыми с общей эмиттерной нагрузки транзисторов VT 7, VT 8 - R 9 (U _{Б VT 6}) микросхемы.

Транзисторы VT 6, VT 5, VT 4 являются усилителями импульсов, снимаемых с резистора R 9. Усиленные импульсы с коллектора VT 4 через внешний делитель напряжения (R 6, R 3) подаются на базу VT 3, являющегося одним из транзисторов ключа, входящего в состав ИС. Этот ключ (VT 2, VT 3) управляет в данной схеме ИСН внешним силовым ключом, выполненным также в виде составного транзистора (VT 2, VT 3). Таким образом, при увеличении, например, напряжения питания на входе ИСН напряжение U _н = (t _и /T)U _п на нагрузке останется неизменным так как уменьшилось время открытого состояния регулирующего транзистора силовой части.