Где N – число последовательно включенных компенсирующих диодов

Рис.19

Суммарное дифференциальное сопротивление цепочки также увеличивается и становится равным

,

где - дифференциальное сопротивление диода в прямом направлении при заданном токе через диод.

Имеются и другие методы температурной компенсации изменения напряжения стабилизации при изменении температуры окружающей среды.

Для первой схемы

;

а для второй

.

где - значение прямого напряжения на диоде VD2;

- ТКН диода VD2.

В этих схемах значение коэффициента можно изменять от положительных до отрицательных значений потенциометром .

Отечественной промышленностью выпускаются также стабилитроны типа Д818 и КС211, в корпусе которых выполнена компенсация стаби-литрона и двух последовательно включенных компенсирующих стабилит-ронов в прямом направлении. Благодаря этому ТКН стабилизации у этих стабилитронов намного меньше, чем у обычных стабилитронов.

7.2.Схема и принцип действия ПСн ВЭ

Наиболее простая и вместе с тем распространенная сема ПСН ВЭ приведена нарис.20,а.

а б

рис.20

Она представляет собой делитель напряжения, состоящий из балластного резистора и кремниевого стабилитрона VD, параллельно которому включено сопротивление нагрузки .

Такой ПСН ВЭ обеспечивает стабилизацию напряжения на нагрузке при изменении и тока нагрузки .Влияние температуры окружающей среды устраняется указанными выше способами температурной компенса-ции.

При изменении напряжения питания, например, увеличении, входной ток тоже увеличивается. Это приведет к увеличению падения напряже-ния на , а на сопротивлении нагрузки напряжение останется неизмен-ным с определенной степенью точности.

При увеличении тока нагрузки и неизменном напряжении питания ток стабилитрона уменьшится (т.к. = + ), а напряжение на сопротивлении нагрузки останется неизменным.

Влияние изменения тока нагрузки на напряжение оценивается выходным сопротивлением ПСН ВЭ, которое примерно равно дифференциальному .

в тех случаях, когда на сопротивлении нагрузки (рис.21,б) необходи-мо получить стабильное, напряжение почти прямоугольной формы,

а рис.21 б

можно использовать схему на рис.21,а.

7.3.Коэффициент стабилизации напряжения

Коэффициент стабилизации ПСН ВЭ определяется в соответствии с известным выражением

.

На основании закона Кирхгофа в приращениях запишем

,

,

где , могут быть определены из соотношений

; ; .

С учетом этих соотношений выражения для и можно представить в виде

;

.

Поставив во второе уравнение значение тока , получим

.

Зная , получим выражения для коэффициента стабилизации

, где .

Если , то это выражение упрощается

.

Из выражения для коэффициента следует, что с увеличением коэффициент стабилизации увеличивается. Однако увеличение требует повышения , но это приводит к увеличению мощности, рассеиваемой на и снижению КПД схемы.

Обычно у ПСНВЭ равен 10÷15.

Для повышения коэффициента стабилизации применяют многокаскадные схемы ПСН ВЭ.

Коэффициент полезного действия ПСН ВЭ равен

.

КПД ПСН ВЭ, как правило, не превышает (25-35)%.

Преимущества и недостатки ПСН ВЭ.

Малые габариты, простота схемы и надежность являются преимущест-вами таких стабилизаторов перед компенсационными.

К недостаткам ПСН ВЭ относятся – малый коэффициент стабилизации; небольшая выходная мощность; низкий КПД.

8. МИКРОСХЕМНЫЙ СТАБИЛИЗАТОР НАПРЯЖЕНИЯ типа КР142ЕН19

Микросхема КР142ЕН19 (рис.22 ) представляет собой регулируемый параллельный стабилизатор напряжения – интегральный аналог стабилит-рона – и предназначена для использования в блоках питания и других узлах высококачественной аппаратуры широкого применения в качестве источника образцового напряжения (ИОН), регулируемого стабилитрона. Микросхема КР142ЕН19превосходит стабилитроны по многим параметрам. Во–первых, она способна формировать регулируемое образцовое напряжение, во–вторых, меньшее, чем у низковольтных стабилитронов. В–третьих, микросхема обладает лучшими стабилизирующими качествами [83].

Приборы изготовлены по планарно-эпитаксиальной технологии с изоляцией p–n переходом. Оформлены они в пластмассовом корпусе КТ–26 (рис. 22) с тремя жесткими выводами прямоугольного сечения.

рис. 22 Рис. 2 3

Масса прибора не более 0,5 г. Ближайшая к КР142ЕН19 по характеристикам зарубежная микросхема ТL431.

Цоколевка микросхемы: выв. 2 – анод, выв. 8 – катод, выв.17 – вход управляющего сигнала (с делителя напряжения измерительного элемента).

Приборы рассчитаны на длительную эксплуатацию при температуре окружающей среды –10...70 ^оС. Минимальная наработка на отказ – 50000 ч.

Упрощенно функциональная схема прибора показана нарис. 23.

Микросхема содержит внутренний источник образцового напряжения U_обр.вн, определяющий ее минимальное выходное напряжение. Реально микросхема сохраняет работоспособность и обеспечивает заданные параметры при напряжении на аноде не ниже, чем на управляющем входе.

Параллельный стабилизатор, как правило, не требует дополнительного устройства защиты от перегрузки. При увеличении тока нагрузки ток через микросхему уменьшается, а при замыкании выхода становится равным нулю. Превышение выходного напряжения также не создает угрозы для микросхемы, так как при этом лишь несколько увеличивается ее катодный ток, соответственно увеличивается падение напряжения на балластном резисторе.

Электрические характеристики при Т_окр.ср = 25 ^оС

Минимальное выходное напряжение В, при соединенных аноде и управляю-щем входе (равное U_обр.вн) и катодном токе через ИС10 мА.......2,44..2,55

Ток входа управления, мкА, не более при катодном токе через микросхему, ………………………………………………………………………10 мА..5.

Динамическое сопротивление, Ом, не более, при минимальном выходном напряжении и катодном токе через микросхему, 10 мА..............0,5

Нестабильность выходного напряжения по управляющему напряжению, %/В, не более................................................................................. 0,12

Предельно допустимые значения параметров

Наибольшее значение между анодом и катодом, В.................... 30

Наибольший анодный ток, мА..................................................................... 100

Наименьший анодный ток, мА.......................................................................... 1,2

Наибольшая мощность рассеивания, Вт.......................................................... 0,4

Температурный рабочий интервал, ^оС.................................................... –10..+70

Типовая схема включения микросхемы КР142ЕН19 представлена на рис.24. Резистор R1 – балластный; критерии его выбора те же, что и при выборе балластного резистора параметрического стабилизатора на стабилитроне.

Рис. 24

Резисторы R2и R3 образуют делитель напряжения измерительного элемента. Выходное напряжение U_вых и сопротивление резисторов R2 и R3 связаны соотношениями:

U_вых=(1+R2/R3)U_обр;U_вых /(R2 + R3)³10 ^–4 A.

Конденсатор С1 емкостью 0,1...1 мкФ вводят при необходимости – он предупреждает паразитную генерацию на устройстве. Если необходимо плавно регулировать выходное напряжение, резистор R2 выбирают переменным. Наиболее важным параметром микросхемы, работающей в ион, является температурный коэффициент выходного напряжения.

На рис.25 показана типовая температурная зависимость выходного напряжения микросхемы КР142ЕН19, снятая по результатам испытания одной из партий приборов (заштрихованная зона технологического разбро-са).