Микросхемные стабилизаторы напряжения с регулирующим транзистором в плюсовом проводе выходной цепи

⇐ ПредыдущаяСтр 13 из 31Следующая ⇒

Микросхемы серий 142ЕН1–142ЕН2, КР142ЕН1–КР142ЕН2

Эти микросхемы выполнены и конструктивно оформлены в корпусе типа 402.16–2 (16 выводов) рис. 31. Интегральную микросхему (ИС) можно установить на теплоотвод. Принципиальная схема ИС и основная ее схема включения показаны на рис. 32, а и рис. 32, б [1].

Принципиальная электрическая схема содержит следующие функциональные узлы:

Рис. 31

· источник опорного напряжения U_оп= 2,4 В ± 15 % (элементы VT1, VD1, VT2, R1, R2, VD2);

· дифференциальный усилитель (элементы VT4, VT5, R3,VT3);

· регулирующее устройство (РУ) (элементы VT7, VT8);

· схему выключения стабилизатора внешним сигналом (элементы VT9, VD3, R4);

· транзистор защиты от токовых перегрузок и коротких замыканий (элемент VT6).

Назначение выводов: 2 – фильтр шума; 4 – второй вход; 6 – опорное напряжение; 8 – общий; 9 – выключатель; 10, 11, 14 – защита по току; 12 – регулировка выходного напряжения; 13 – выход; 16 – первый вход.

а

Рис.32

б

Рис. 32

Зависимость максимально допустимой мощности, рассеиваемой микро-схемой с использованием дополнительного теплоотвода, от температуры кор-пуса приведена на рис. 33 [2].

Для нормального функционирования интегрального стабилизатора напряжения, а также для получения заданных выходных напряжений к мик-росхеме подключаются дополнительные элементы (рис.32, б). Сопротивления резисторов R1, R2 измерительного элемента выбираются из условия допустимого тока делителя (I_дел>1,5 мА) и обычно составляют R2 = (1,2 ¸ 1,6) кОм, R1 = 22 кОм. С помощью конденсаторов C1 и С_н– обеспечивается работа микросхемы. Типовыми емкостями этих конденсаторов при низких уровнях U_вых< 5 B является С1 < 0,1 мкФ, С_н= 5 ¸ 10 мкФ. При уровнях U_вых> 5 B емкости конденсаторов составляют – С1 > 100 пФ, С_н> 1 мкФ. В рассмотренной схеме резисторы R3, R4, R5 работают в цепях защиты. С помощью R4, R5 задается напряжение на базу транзистора защиты. Резистор R3 служит датчиком тока в схеме защиты от перегрузок по току. Сопротивления этих резисторов выбираются из следующих условий [3]

R3 = U_{эб VT9}/ I_{вых.порог}, а R5 = (U_вых+U_{эб VT6}) / I_VD2,

где U_{эб VT9}= U_{эб VT6}» 0,7 B; I_VD2» 0,3 мА, при этом R4 = 2 кОм = const.

Защита от перегрузок по току срабатывает при увеличении тока нагрузки I_{вых.порог}» 2,2I_вых.max. в этом случае приращение напряжения на резисторе R3 должно быть не менее 0,7 В. При этом транзистор защиты микросхемы открывается и шунтирует регулирующий транзистор. На рис. 34 представлены характеристики переключения узла защиты микросхемы при различных сопротивлениях резистора R3.

Принцип действия работы стабилизатора заключается в следующем.

Пусть возмущающие факторы ток I_н нагрузки и температура окружающей среды Тсреды. в рассматриваемый момент времени неизменные, а напряжение сети U_п увеличилось. В первый момент увеличится и напряжение на нагрузке. Это приведет к тому, что напряжение на резисторах делителя R1, R2 (рис.32) тоже возрастет. В результате этого повысится потенциал напряжения на резисторе R2 делителя, который связан с выводом 12 микросхемы DA1 и транзистор VT5 больше приоткроется. В результате ток коллектора этого транзистора увеличится, что приведет к уменьшению тока базы транзистора VT7 и он призакроется. Это приведет к тому, что тра-нзистор VT8 DA1 тоже призакроется. Сопротивление его перехода коллек-тор-эммитер VT8 увеличится, что приведет к увеличению падения напряже-ния на нем. Следовательно, напряжение на нагрузке останется неизменным.

Рис. 33 Рис. 34

Выключение стабилизатора внешним сигналом осуществляется электронным ключом через резистор, подсоединяемый к выводу 9. Сопротивление этого резистора выбирается из условия протекания в цепи управления тока 0,5 ¸ 1 мА. (Например, логического элемента с током импульса 2 ¸ 5 мА и напряжением 0,7 ¸ 1,0 B). На практике иногда возникает необходимость повышения выходных токов (т.е. токов больших, чем максимальный допустимый ток микросхемы). Для этой цели обычно подключается дополнительный мощный транзистор n–p–n или p–n–p типа (рис. 35, а и рис. 35, б).

а б
Рис. 35

Вместо транзисторов могут использованы транзисторные сборки. В этих схемах резистор R2 выбирается из условия

R2 = U_оп.min/ (h_21эVT1 I_дел.min).

Резистор R3 (рис.35, б) служит для замыкания токов утечек регулирую-щего транзистора и выбирается в пределах 50 ¸ 100 Ом. Часто в стабилизаторах напряжения, собранных на микросхемах К142ЕН1 и К142ЕН2, управляющий (вывод 4) и регулирующий (вывод 16) элементы питаются от общего источника питания (выпрямителя) и выводы 4 и 16 объединяются (рис. 32, б). В этом случае, когда регулирующий транзистор находится в области насыщения, а на выходе стабилизатора требуется получить низкое (менее 4,5 в) напряжение, резко снижается стабильность опорного напряжения и, как следствие, ухудшаются стабилизирующие свойства микросхемы в целом [2,3]. При этом снижается и КПД стабилизатора, так как падение напряжения на регулирующем транзисторе составляет 4,2 ¸ 4,5 В. Минимальное входное напряжение (выводы 4, 16 и 8) не должно быть меньше 9 В. Введение раздельного питания источника опорного напряжения и регулирующего устройства позволяют улучшить стабилизирующие свойства микросхемы и повысить КПД при малой разнице между U_вх и U_вых,так как КПД в этом случае определяется только минимально допустимым напряжением на РУ, которое составляет примерно 2,5 В. При раздельном питании на вход (U_вх.2) опорного источника питания (выводы 4 и 8) подается стабилизированное (например, стабилитроном) напряжение, которое должно быть равным или превышать входное напряжение U_вх.1 (выводы 16 и 8).

Основные электрические параметры регулируемых микросхем стабилизаторов напряжения приведены в табл. 1.

Таблица 1

параметр ИС U_вх, B min... max U_вых, B min... max I _вых, A max K_U, %/B не более K_I, %/А не более a_iuвых, %/^оC не более U_пд, B Р_max, Bт –10...+55 ^оС

совм. разд.

142ЕН1А 10...20 3...12 0,15 0,3 – – – – 0,8

142ЕН1Б 10...20 3...12 0,15 0,1 – – – – 0,8

К142ЕН1А 10...20 3...12 0,15 0,3 0,5 0,01 2,5 0,8

К142ЕН1Б 10...20 3...12 0,15 0,1 0,2 0,01 2,5 0,8

К142ЕН1В 10...20 3...12 0,15 0,5 – – – 0,8

К142ЕН1Г 10...20 3...12 0,15 0,5 – – – 0,8

142ЕН2А 20...40 12...30 0,15 0,3 – – – – 0,8

142ЕН2Б 20...40 12...30 0,15 0,1 – – – – 0,8

К142ЕН2А 20...40 12...30 0,15 – 0,5 0,01 2,5 0,8

К142ЕН2Б 20...40 12...30 0,15 – 0,2 0,01 2,5 0,8

К142ЕН2В 20...40 12...30 0,15 0,5 – – – 0,8

К142ЕН2Г 20...40 12...30 0,15 0,5 – – – 0,8

К142ЕН14 9,5..40 2...37 0,15 0,018 0,01 2,5 0,8

К142ЕН4 9...45 3...30 1,0 0,05 0,5 0,01 –

К142ЕН3 9...45 3...30 1,0 0,05 0,5 0,01 –

КР142ЕН12А 5...45 1,3..37 1,0 0,01 0,2 0,02 – 3,5 1,0

КР142ЕН12Б 5...45 1,3..37 1,0 0,03 0,2 0,02 – 3,5 1,0

142ЕН10 9...40 3...30 1,0 0,05 0,01 – 2,5

142ЕН11 5...45 1,2..37 1,5 0,02 0,33 0,02 – 3,5

КР142ЕН18А 5...30 1,3*… 26,5 1,0 0,03 0,03 0,02 – 3,5 1,0

КР142ЕН18Б 5...30 1,3*… 26,5 1,5 0,03 0,03 0,02 – 3,5 1,0

1151ЕН1А 3,75...20 1,24... 17,5 0,4 0,12 0,015 – 2,5 50**

1151ЕН1Б 3,75...20 1,24... 17,5 0,4 0,12 0,015 – 2,5 50**

* при U_вх_min =10В; ** при U_вых£ 12В

Таблица 3

⇐ Предыдущая 8 9 10 11 121314 15 16 17 Следующая ⇒

Date: 2015-05-04; view: 2815; Нарушение авторских прав

mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.009 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию