Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Материал подложки: Si
|
|
Исходные данные по проекту:
Размер кристалла (чипа) 10х10 мм2
Минимальная проектная норма элемента ИС 0,3мкм
Плотность дефектов на слой 0,1деф/см2
Число слоев металлизации 1
Вычисление процента выхода годных структур на пластине (Y) производится по следующей формуле:
,
где D0 – удельная плотность дефектов, приходящихся на одну фотолитографию, деф/см2; A – активная площадь кристалла, см2; F – число фотолитографических процессов в полном технологическом цикле изготовления ИС.
Расчет общего объема выпуска годных изделий проводится по исходным данным. Выход годных структур на пластине: 
,
где Aпл – активная площадь пластины диаметром 100 мм, A – площадь элемента, см2.
29
Годовой объем производства при запуске Z=300 пластин в сутки при условии, что процент выхода годных изделий на сборочных операциях W=95%:
Таблица. Расчет порогового напряжения МОП транзистора.
| Na, см-3 | 1∙1016 => 1∙1022 м-3 | WH, мкм | 1,5 = 1,5∙10-6 м |
| tox, нм | 40 => 4∙10-8 м | LH, мкм | 1,5 = 1,5∙10-6 м |
| L, мкм | 1,5 => 1,5∙10-6 м | UDD, В | |
| W, мкм | 16 => 1,6∙10-5 м | ||
| εSi, | 11,9 | μn | 0.15 |
| εSi02 | 3.9 | ||
| ε0 | 8.85∙10-12 Ф/м2 |
0,347 В
=8,6∙10-4 Ф/м
=
где, 
- поверхностный потенциал.
где, 
- падение напряжения на слое оксида.
31
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В данной дипломной работе рассмотрена технология изготовления плат полупроводниковых интегральных микросхем. Полупроводниковая интегральная микросхема – это микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки. Эти ИС составляют основу современной микроэлектроники. Размеры кристаллов у современных полупроводниковых интегральных микросхем достигают 
мм2, чем больше площадь кристалла, тем более многоэлементную ИС можно на ней разместить. При одной и той же площади кристалла можно увеличить количество элементов, уменьшая их размеры и расстояния между ними.
При использовании другого типа подзатворного диэлектрика, других металлов при формировании контактов с кремнием, других изолирующих слоев возможно получение более сложных схем с еще меньшим размером элементов.
Полупроводниковые материалы, обладающие высокой твердостью и хрупкостью, не поддаются механической обработке с применением большинства обычных методов, таких, как точение, фрезерование, сверление, штамповка и т.п. Практически единственным методом, применимым для механической обработки полупроводниковых материалов, является обработка с применением связанных или свободных абразивов.
Слитки полупроводниковых материалов режутся на пластины проволочными пилами, бесконечными ленточными алмазными пилами, кругами с наружной режущей кромкой, кругами с внутренней режущей кромкой АКВР. Наиболее эффективным инструментом являются алмазные круги с внутренней режущей кромкой, которые позволяют с высокой производительностью, точностью и значительной экономией материала разрезать слитки на пластины минимальной толщины.
Перед резанием слитков полупроводникового материала на пластины нужно определить расположение в нем основных кристаллографических плоскостей. Это необходимо для последующей точной ориентации слитков перед резанием.
Несоблюдение этого условия приведет к невоспроизводимости электрофизических параметров полупроводниковых приборов и микросхем в процессе последующей обработки на операциях диффузии, эпитаксии и некоторых других.
Date: 2015-11-14; view: 346; Нарушение авторских прав