Грунтовая культура огурца в теплицах

Огурцы для зимне-весеннего срока выращивания — это промышленные гибриды, возделываемые в тепличных комбинатах в остек­ленных обогреваемых теплицах с января по июль (III-IV световая зона). Для овощеводов-любителей они представляют практический интерес как наибо­лее теневыносливые для выращивания в комнатных условиях на подоконни­ке в ранние сроки.

В данную группу входят: F, Манул, F, Марафон, F, Эстафета, F, Атлет, F, Бакс, F, ТСХА-575, ТСХА-2693, F, Олимпиада, F, Тайга, F, Камчатка, Fj Сахалин и др.

Гибриды-опылители: F, Гладиатор, F, Геркулес, F, Казанова, F, Левша, F, Горностай и др., партенокарпические: F, ТСХА-442, F, Сенатор, F, Мо­дуль, F, Доротея, F, Регтайм, F, Ибн Сина, F, Азия, F, Берендей и др. Опти-

мальный срок посева данных гибридов — вторая декада ноября. Посев про­водят с таким расчетом, чтобы начать высадку рассады на постоянное место 25—30 декабря (примерно через 28—30 дней от появления всходов).

Выращивание рассады проводят посевом семян непосредственно в гор­шочки (объемом 0,7—0,8 л) с рассадной смесью или с пикировкой. Наиболее часто в качестве субстрата используют верховой торф и торфосмеси. Рассад­ная смесь должна обладать хорошей водоудерживающей способностью, хо­рошей способностью к аэрации и относительной химической инертностью.

Количество семян рассчитывают исходя из густоты стояния растений, площади теплиц и страхового фонда 10—15%. Для посева используются се­мена со всхожестью не менее 90%. Т.к. многие возбудители болезней овощ­ных культур могут сохраняться с семенами, то необходимо проводить их протравливание или обеззараживание. Обеззараживают семена огурца тер­мическим (по методу Вовка) и химическим способами. Обычно на 1000 м² расходуется 100—115 г семян огурца основного гибрида и 10—5 г семян гиб­рида-опылителя. Как правило, семена гибрида-опылителя высевают раньше на 2—3 дня основного гибрида.

Для получения более дружных и выровненных всходов рекомендуется проводить посев семян в специальные посевные ящики с рассадной смесью. Посев в ящики приводят под маркер. Расстояние между рядками 2 см, в ряду между семенами 2 см. Сверху семена присыпают просеянной рассадной сме­сью слоем 1,0-1,5 см, в зависимости от физической массы рассадной смеси. Сверху посевные ящики накрывают полиэтиленовой пленкой для поддержа­ния постоянной температуры и влажности до появления всходов. Всходы появляются через 3—4 суток. При появлении 10—15% всходов пленку сни­мают и включают досветку. К пикировке приступают на 4—5 день от появле­ния всходов. Сеянцы с сильно деформированными и уродливыми семядоля­ми и слабой корневой системой выбраковываются. Лучше проводить выбра­ковку по первому настоящему листу. Сеянцы пикируют в пролитые раство­ром горшки с рассадной смесью, заглубляя их до семядольных листочков, с целью получения крепкой рассады с небольшим подсемядольным коленом. При выращивании на минеральной вате сеют непосредственно в кубики из минеральной ваты, размером 36 х 36 х 40 мм, присыпая вермикулитом, или в мультиблоки, а затем делают перевалку в кубик большего размера.

После пересадки сеянцев в горшочки — на 1 м² располагается до 70 горшочков со средним диаметром 12 см. За время выращивания рассады огурца производится 2—3 расстановки растений с окончательной густотой стояния 20—22 шт/м². Способ выращивания рассады через пикировку позво­ляет не только существенно снизить потребление тепла и электроэнергии, но и получить рассаду лучшего качества.

Температура при выращивании рассады. Для получения дружных всходов, до их появления температуру воздуха и субстрата поддерживают на уровне 26—28°С. С появлением 10—15% всходов, постепенно снижают дневную тем­пературу воздуха до 18—19°С, что препятствует сильному вытягиванию сеян­цев. После пикировки первые три дня температуру воздуха поддерживают днем на уровне 20—22°С (при досвечивании) и 18—19°С ночью (без досвечи-вания). Затем температуру немного снижают и поддерживают до высадки

рассады на уровне 18—19°С — днем (при досвечивании) и 16—17°С ночью (без досвечивания). Пониженная температура воздуха способствует формированию женского пола у растений огурца. С целью смещения пола у растений опылителя в мужскую сторону, температура воздуха поддерживает­ся на более высоком уровне, чем для основного гибрида, примерно на 1— 2°С. Температура субстрата в горшке должна быть 20—2 ГС. Разница между дневной и ночной температурой воздуха обеспечивает хорошее развитие кор­невой системы и стимулирует генеративное развитие.

Досвечивание рассады. При выращивании рассады для зимне-весеннего оборота необходимо искусственное досвечивание растений. Лампы досвечи­вания включают при появлении 10—15% всходов. Первые три дня досвечи­вание проводят круглосуточно. Затем, до пикировки — 18 часов в сутки, от пикировки до первой расстановки рассады — 16 часов (во время пикировки сеянцы не досвечивают) после расстановки в течение 10 дней — 14 часов. Последние 4—5 дней до высадки рассады досвечивание проводят по 12 ча­сов. В последний день перед высадкой в теплицу растения не досвечивают, чтобы рассада привыкла к условиям естественного освещения. Оптималь­ный уровень освещенности в фазе сеянцев 8000-9000 лк и выше, а в дальней­шие периоды выращивания не ниже 4000-5000 лк. При освещенности мень­ше 2000 лк рассада развивается медленно, слабо развивается корневая систе­ма. В этом случае удлиняют срок выращивания рассады на 2—4 дня. В насто­ящее время широкое распространение при выращивании рассады нашли лам­пы Рефлакс-400 и Рефлакс-600. Они обеспечивают освещенность 9—12 клк и выше. Количество ламп на единицу площади и высоту их подвески (она постоянна) рассчитывают специалисты фирмы "Рефлакс". Обычно техни­ческая мощность ламп составляет 60—70 Вт/м².

Питание и полив рассады. Для выращивания рассады требуется рассадная смесь не только с хорошей физической структурой, но и очень питательная. Это связано с тем, что объем рассадной смеси на одно растение ограничен, а вынос питательных элементов достигает больших размеров, в зависимости от ее возраста. Поэтому рассадная смесь должна обладать высокой поглоти­тельной способностью и влагоемкостью. Чаще всего в качестве рассадной смеси используют верховой торф или его смесь с переходным или низинным торфом. Заправляя торф в равных пропорциях доломитовой мукой и мелом мелкого помола доводят рН до 5,6—6,3 единиц. Кроме того заправляют ми­неральными удобрениями. Для торфа чаще всего используют марку Кемира-супер и Пи Джи Микс. Это комплексные удобрения для основной заправки торфов и торфосмесей.

Содержание элементов питания в рассадной смеси должно быть: N — 150 мг/л, Р - 30 мг/л, К - 165 мг/л, Mg - 85 мг/л, Са 165 мг/л, Ее - 1,3-1,8 мСм/см.

В дальнейшем поливают раствором минеральных удобрений. Сначала горшки напитывают питательным раствором с Ее 1,8 мСм/см. Затем рассаду поливают раствором с Ее 1,8—2,0 мСм/см. Концентрацию элементов пита­ния с возрастом растений постепенно увеличивают, доводя ее к концу рас­садного периода до 2,5 мСм/см. Содержание солей и горшке при этом может достигать 3,0—3,5 мСм/см.

Агротехника. К высадке рассады теневыносливых гибридов огурца прис­тупают в начале января. Готовая к высадке рассада огурца должна иметь 4—5 настоящих листьев, высоту надземной части 30—35 см и хорошо раз­витую корневую систему (корни белого цвета, хорошо оплетающие субст­рат). Некачественную и нетипичную рассаду выбраковывают. Густота по­садки для пчелоопыляемых гибридов составляет 2,3—2,6 раст/м², а для пар-тенокарпических 1,8—2,2 раст/м² в зависимости от сроков высадки, свето­вой зоны, технологии и т.д.

К основному пчелоопыляемому гибриду с высокой насыщенностью жен­скими цветками необходимо подсаживать растения гибрида-опылителя в ко­личестве до 10—15%. Обычно высадку растений в теплицу начинают с вы­садки рассады растений-опылителей. Их высаживают или рядами (каждый 10-й ряд, лучше использовать ряды у стоек), или равномерно распределяя по всей теплице (высаживают каждое 10-е растение гибрида-опылителя). В пер­вом случае, зная, где находятся растения гибрида-опылителя, можно форми­ровать их без прищипки главного побега, тем самым, увеличивая выход муж­ских цветков с растения. Во втором случае мужские цветки распространены более равномерно по теплице, что обеспечивает лучшее опыление.

Температурные режимы поддерживают в следующих пределах: до начала плодоношения — 22—24°С — в солнечную погоду, 19—20°С — в пасмурную, 17—18°С — ночью; после начала плодоношения — 22—25°С — в солнечную погоду, 20—22°С — в пасмурную, 18—19°С — ночью. Такая температура сти­мулирует полив плодов на главном стебле. Но в условиях слабой освещен­ности февраля-марта, с целью получения большего количества женских за­вязей ночью держат температуру 16— 17°С в течение одой недели, повышая затем ночную температуру опять до 18—19°С. Не рекомендуется снижать температуры воздуха ниже 15°С, т.к. это может привести к нарушению нор­мального хода физиологических процессов. После окончания первой волны плодоношения на главном побеге и при переходе плодоношения на боковые побеги ночную температуру снижают на две недели до 16—17°С. Это усили­вает образование женских завязей, ускоряет появление боковых побегов и стимулирует ветвление растений. Затем для улучшения налива появившихся завязей ночную температуру в течение 10-12 дней поддерживают на уровне 19—20°С. Относительная влажность воздуха поддерживается в пределах 75—80%.

Формирование растений. Через неделю после посадки начинают подвязку растений к шпалере. Шпагат должен быть достаточно прочным, чтобы вы­держать нагрузку. Его длина должна быть на 30-40 см больше расстояния от грунта до шпалеры. Нижний конец шпагата подвязывается свободной пет­лей (с учетом утолщения стебля) под первым настоящим листом к стеблю растения. Шпагат не должен быть сильно натянут, так как в этом случае при колебании шпалерной проволоки, возможно, повреждение корней у расте­нии. Зачем проводится регулярная обкрутка растения вокруг шпагата по ча­совой стрелке. Шпагат должен проходить по каждому междоузлию, чтобы не происходило сползание растения.

При высадке рассады в начале января следует провести ослепление ниж­них узлов главного стебля. Причем необходимо удалять цветки и боковые побеги в начале их роста. В производственных условиях стараются выпол-

нить эту операцию в один прием, когда в первом-втором узлах идет цвете­ние. Однако следует проводить эту операцию своевременно, в два-три прие­ма, удаляя не цветки, а бутоны, для снижения затрат питательных веществ на цветение цветков, которые впоследствии будут удалены.

Формирование основного пчелоопыляемого гибрида. У растений основного пчелоопыляемого гибрида ослепляется 5—6 нижних узлов, а в годы с низкой естественной освещенностью, а так же на ослабленных растениях следует провести ослепление до 7—8 узлов, а иногда и выше. Боковые побеги в 7—8-ом узлах удаляют, оставляя завязи, причем в этих узлах лучше оставлять по од­ной завязи, а вторую удалять. В следующих 4—5 узлах появляющиеся боко­вые побеги прищипывают на 1 лист. В очередных 4—5 узлах (это примерно 13—17-й узлы) главного стебля оставляют боковые побеги, прищипывая их на 2 листа. В самых верхних узлах до шпалеры боковые побеги прищипыва­ют, оставляя по 3 листа. Побеги второго порядка в нижней части растения удаляют. В средней части их прищипывают на 1 лист, а у шпалеры можно оставлять до 2 листьев, — в зависимости от облиственности растений. Если листьев много и они крупные, то в верхней части на побегах второго порядка оставляют 1 лист. По мере улучшения освещенности и увеличения площади листьев на растениях повышают нагрузку плодами. При таком формирова­нии растения напоминают "перевернутую пирамиду", т.е. постепенно уве­личивается нагрузка па главный стебель. В нижней части растения более разреженные, хорошо проветриваются и реже болеют.

После того как стебель перерастает шпалеру, его верхушку осторожно пригибают к проволоке. Очень важно направить верхушки всех растений в одну сторону. Верхушку растения осторожно закручивают вокруг шпалерной проволоки, делая два оборота. Стебель при этом не должен перегибаться, сминаться и трескаться. Часто, чтобы стебель не перегибался па первом обо­роте, его подвязывают шпагатом в виде восьмерки к шпалерной проволоке. Очень важно укладывать верхушки побегов вовремя, не давая им перерас­тать, так как переросшие побеги теряют гибкость, их сложнее укладывать на шпалеру, чаще получаются "заломы". Верхушку побега ведут до следующего растения, затем на 1—2 листа опускают вниз и прищипывают. Таким обра­зом, на шпалере формируется 4-5 листьев. Боковые побеги из первых одной-двух пазух листа над шпалерой удаляют, чтобы они не затеняли листья на главном стебле. Так же удаляют побег в последней пазухе листа, так как он будет затенять соседнее растение. Оставляют побеги в двух пазухах соседних листьев, расположенных в середине между соседними растениями, что поз­воляет более интенсивно использовать свет. Эти побеги прищипывают через каждые 50 см, а образующиеся на них побеги следующего порядка ветвления прищипывают па 2 листа.

Тщательное формирование растений проводят в течение 2,5-3,0 месяцев после посадки, а с началом массового плодоношения на боковых побегах следят, чтобы боковые побеги не загущали посадки, не выходили в боковые проходы, прищипывая их на 2 листа. Прищипку проводят еженедельно, уда­ляя только верхушки побегов. Задержки с прищипкой и удаление побегов длиной 5—20 см и более ведут к ослаблению растений, усыханию завязей снижению урожайности.

Сухие листья и отплодоносившие побеги удаляют, срезая их острым но­жом без оставления "пеньков". Эту операцию выполняют в солнечную пого­ду, чтобы места срезов быстро подсохли не являлись "воротами" для про­никновения инфекции.

Если в верхней части растений образуются очень крупные листья, кото­рые мешают проникновению света внутрь фитоценоза, то можно провести их прореживание, улучшая освещенность нижнего яруса. Эту операцию вы­полняют только в солнечную погоду, удаляя листовую пластинку, оставляя черешок листа.

При высадке рассады в первую неделю января на главном стебле остав­ляют не более 11 —13 плодов. Количество одновременно наливающихся пло­дов на растении не более 2—3. Нагрузка плодами увеличивается пропорцио­нально увеличению прихода солнечной радиации и площади листовой по­верхности.