Последовательность расчета. Напряженность электрического поля определяют как: , (3)

Напряженность электрического поля определяют как: , (3)

где h – толщина диэлектрика конденсатора.

Для каждого значения R_м вычисляют статическую емкость: (4)

и диэлектрическую проницаемость: , (5)

где S - площадь образца, S = 1 см²; e ₀ = 8,86 ^. 10^-14 Ф/см.

Мощность, рассеиваемую в сегнетоэлектрике, определить как

P = K ^. S_Г, (6)

где S_Г - площадь, ограниченная гистерезисной петлей (мм²);

К - коэффициент пропорциональности (Вт/мм²), определяемый как:

, (7)

где U₁ и q₁ –цена деления горизонтальной и вертикальной оси (в В/мм и Кл/мм, соответственно);

f - частота переменного тока (50 Гц).

Определить тангенс угла диэлектрических потерь по формуле:

, (8)

где: Q_max - максимальный заряд на обкладках конденсатора;

V_max - амплитуда приложенного напряжения;

2p f - круговая частота, с^-1.

Содержание отчета

1. Кратная характеристика исследуемых материалов.

2. Схема измерительной установки.

3. График зависимости заряда (индукции) в сегнетоэлектрике от напряженности электрического поля (петля гистерезиса).

4. Результаты расчета диэлектрической проницаемости сег­нетоэлектрика e при различных напряженностях электрического поля.

5. Результаты вычисления мощности и тангенса угла потерь в сегнетоэлектрике.

6. Таблица с результатами расчета диэлектрической про­ницаемости при различных температурах.

7. График температурной зависимости диэлект­рической проницаемости e=f(T). Определение точки Кюри.

8. Краткие выводы.

3.6.5. Лабораторная работа № 4: