Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Постановка задачи. 1. По описанию к лабораторной установке произвести калибровку осциллографа так, чтобы на его экране наблюдалась прямая линия





1. По описанию к лабораторной установке произвести калибровку осциллографа так, чтобы на его экране наблюдалась прямая линия, проходящая через центр экрана, как показано на рис. 4, а.

 

       
 
 
 

 


а б

Рис.4. Изображение на экране осциллографа при калибровке установки (а) и измерении зависимости заряда (индукции) от величины напряженности электрического поля (б)

 

3. Снять зависимость заряда (индукции) конденсатора с сегнетоэлектриком от величины напря­женности электрического поля. Для этого определяют координаты вершины петли гистерезиса (рис. 4, б). Измерения следует проводить не менее 4-х раз, то есть при 4-х значениях масштаба RM, а затем рассчитывают заряд и напряжение по формулам:

 

Q = Vu . C0 (1)

V = Vg, (2)

 

где Vu - координата вершины петли гистерезиса по вертикали;

Vg - координата вершины петли гистерезиса по горизонтали;

С0 – емкость эталонного конденсатора.

Результаты измерений занести в табл.1

Таблица 1

Vg , В Vu, В Е, В/м Q, Кл CСТ e
           

 

3. Определить потери в сегнетоэлектрике, для чего при сред­нем значении Rм зарисовать петлю гистерезиса на кальку, определить ее площадь (в мм2).

4. Снять зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от температуры. Результаты измерений занести в табл.2.

Таблица 2

Т, °С Vg , В Vu, В Е, В/м Q, Кл CСТ e
             

 







Date: 2015-07-25; view: 350; Нарушение авторских прав



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.005 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию