![]() Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
![]() Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
![]() |
Глоссарий (краткий словарь терминов)АБСОРБЦИОННЫЙ ТОК - поляризационный ток в диэлектрике, обусловленный замедленными видами поляризации, характерными для многих технических диэлектриков. АКТИВНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ - диэлектрики, свойствами которых можно управлять за счет внешних энергетических воздействий. АКЦЕПТОРНАЯ ПРИМЕСЬ - вводимая в полупроводник электрически активная примесь химического элемента с валентностью ниже, чем у атомов основы. АНТИФЕРРОМАГНЕТИКИ - вещества, в которых магнитные моменты атомов стремятся выстроиться антипараллельно друг другу. БЛИЖНИЙ ПОРЯДОК – закономерное расположение ближайших соседей относительно каждого атома. ВАКАНСИЯ – вид дефекта кристаллической решетки – незанятые атомами узлы кристаллической решетки. ВЫНУЖДЕННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ – одновременное испускание согласованных по частоте и направлению электромагнитных волн (фотонов) под действием внешнего электромагнитного поля. ВЫРОЖДЕННОЕ СОСТОЯНИЕ – состояние, при котором средняя энергия электронного газа практически не зависит от температуры. ГЕНЕРАЦИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПАР - процесс одновременного образования пары свободных носителей электрического заряда (электрон и дырка). ГЕТЕРОПЕРЕХОД – контакт двух полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. ГЕТЕРОСТРУКТУРА – переход, образованный двумя полупроводниковыми материалами, имеющими практически одинаковые постоянные кристаллической решетки и разные ширину запрещенной зоны, сродство к электрону, диэлектрическую проницаемость и другие свойства. ДИАМАГНЕТИКИ - вещества, в которых имеет место полная взаимная компенсация орбитальных и спиновых магнитных моментов. ДИСЛОКАЦИЯ - один из видов линейных дефектов кристаллической решетки, который представляет собой смещение атомных плоскостей. ДИФФУЗИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ - легирование полупроводника с использованием диффузионных процессов. ДИЭЛЕКТРИКИ - Материалы, основным электрическим свойством которых является способность к поляризации и в которых возможно существование электростатического поля. Условно к диэлектрикам относят материалы с удельным электрическим сопротивлением ДОНОРНАЯ ПРИМЕСЬ - вводимая в полупроводник электрически активная примесь химического элемента с валентностью выше, чем у атомов основы. ДЫРКА - положительно заряженная «частица», которая образуется в валентной зоне при переходе электрона в зону проводимости. ЖЕСТКОСТЬ МАТЕРИАЛА - способность сопротивляться деформации. ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА - интервал энергий, которыми не могут обладать электроны. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ – теория валентных электронов, движущихся в усредненном поле кристаллической решетки. ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ - легирование полупроводника с использованием ионной имплантации. КОЭРЦЕТИВНАЯ СИЛА - напряженность магнитного поля, необходимая для уменьшения магнитной индукции до нуля. КОЭФФИЦИЕНТ ФОРМЫ ПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТОРА - отношение длины резистивного слоя к его ширине. КРИСТАЛЛ - твердое тело, имеющее трехмерное периодическое пространственное расположение микрочастиц и приобретающее вследствие этого при определенных условиях роста форму многогранника. Кристалл обладает дальним порядком. КРИСТАЛЛИТЫ (ЗЕРНА) - совокупность мелких кристаллов с искаженной структурой, они не являются единичными и образуются в стесненных условиях. ЛАЗЕР – источник оптического когерентного излучения, характеризующийся высокой направленностью и большой плотностью энергий. ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКА – процесс направленного введения примесей в полупроводник с целью получения полупроводников с заданным типом электропроводности. ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ – электромагнитное нетепловое излучение, обладающее длительностью, значительно превышающей период световых колебаний. При люминесценции акты возбуждения и излучения света разделены во времени, что определяет достаточно длительное время свечения вещества после прекращения возбуждения. ЛЮМИНОФОРЫ - вещества, способные люминесцировать. P-N ПЕРЕХОД - контакт двух областей полупроводника с различным типом проводимости. ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА - типовая несущая конструкция современной радиоэлектронной аппаратуры, состоящая из слоистого диэлектрического основания и печатных проводников. ПОВЕРХНОСТНЫЙ ЭФФЕКТ (СКИН-ЭФФЕКТ) – явление, связанное с неравномерным распределением электрического тока по сечению проводника на высоких частотах: плотность тока максимальна на поверхности проводника и уменьшается по мере проникновения в глубь проводника. ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА - средняя скорость носителей в электрическом поле единичной напряженности. ПОЛИМОРФИЗМ - способность твердого вещества образовывать две и более кристаллические структуры, устойчивые при различных температурах и давлении. ПОЛИКРИСТАЛЛ - совокупность неориентированных относительно друг друга зерен – кристаллитов. ПОЛУПРОВОДНИК N-ТИПА - примесный полупроводник, основными носителями заряда в котором являются электроны. ПОЛУПРОВОДНИК P-ТИПА - примесный полупроводник, основными носителями заряда в котором являются дырки. ПОЛУПРОВОДНИКИ - Материалы, являющиеся по удельной проводимости промежуточными между проводниковыми и диэлектрическими материалами, отличительным свойством которых является сильная зависимость удельной проводимости от концентрации и вида примесей и различных дефектов, а также от внешних воздействий (температуры, освещенности и т.д.). Удельное сопротивление полупроводников в зависимости от строения и состава материала, а также от условий их эксплуатации может изменяться в пределах 10-5 < ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКА - процесс смещения связанных электрических зарядов на ограниченное расстояние под действием внешнего электрического поля. ПРИМЕСНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК - полупроводник, в который введена донорная (элементы 5 группы системы Д.И.Менделеева) или акцепторная (элементы 3 группы) примесь. ПРОБОЙ ДИЭЛЕКТРИКА - явление образования в диэлектрике каналов проводимости при воздействии сильного электрического поля и, как следствие, резкого уменьшения сопротивления диэлектрика. ПРОВОДНИКИ - Материалы, основным электрическим свойством которых является сильно выраженная электропроводность. Их применение в технике обусловлено, в основном, этим свойством, определяющим высокую удельную электрическую проводимость при нормальной температуре. Условно к проводникам относят материалы с удельным электрическим сопротивлением ПРОЧНОСТЬ МАТЕРИАЛА - способность противостоять разрушению. РАССТЕКЛОВЫВАНИЕ – переход вещества из метастабильного стеклообразного состояния в более устойчивое кристаллическое состояние. РЕКОМБИНАЦИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПАР - процесс, обратный процессу генерации электронно-дырочных пар, при котором электрон и дырка перестают существовать как носители электрического заряда. СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ - явление резкого скачкообразного падения сопротивления при температурах, близких к абсолютному нулю. Температура, при которой происходит переход в сверхпроводящее состояние, называют критической температурой Ткр. СВЕТОДИОД (светоизлучающий диод) – полупроводниковый прибор с р-n-переходом, протекание через который электрического тока в прямом направлении вызывает интенсивное некогерентное оптическое излучение. СИТАЛЛЫ - стеклокристаллические материалы, получаемые путем неполной стимулированной кристаллизации стекол особого состава. СКВОЗНОЙ ТОК (ТОК СКВОЗНОЙ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ) - ток, обусловленный наличием в диэлектрике собственных носителей заряда, а также возможной инжекцией носителей заряда из электродов. СПЛАВЫ - материалы, структура которых представляет собой механическую смесь различных металлов, либо твердый раствор одного металла в другом. В качестве добавок в состав сплавов могут входить и неметаллические составляющие. СПОНТАННАЯ (САМОПРОИЗВОЛЬНАЯ) ПОЛЯРИЗАЦИЯ - наличие электрического дипольного момента в отсутствии внешнего электрического поля, обусловлено особенностями строения сегнетоэлектриков. СТАБИЛЬНОСТЬ МАТЕРИАЛА - Способность сохранять внутреннее строение и внешнюю форму при изменении условий в процессе длительной эксплуатации. ТАНГЕНС УГЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ (tg ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ – относительное изменение удельного сопротивления при изменении температуры на 1 Кельвин (градус). ТЕРМОПАРА – термоэлемент, составленный из двух различных проводников, образующих замкнутую цепь; при различной температуре контактов в замкнутой цепи возникает термоэлектрический ток. ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА - свойства, характеризующие поведение материала при обработке. В зависимости от методов обработки (механическая, термическая, химическая, электрохимическая и т. п.) наибольшее значение могут приобретать различные свойства, такие, как твердость, пластичность, способность образовать пассивирующее покрытие при окислении, стойкость в химически агрессивных средах, пределы растворимости легирующих примесей. ТОК УТЕЧКИ - полный ток, протекающий через диэлектрик и представляющий собой сумму абсорбционного тока и сквозного тока. ТОЧКА КЮРИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА - температура, выше которой исчезают электрические домены и спонтанная поляризация. УГОЛ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ - угол, дополняющий до прямого угол сдвига фаз между током и напряжением в емкостной цепи или,. угол между вектором полного тока и его реактивной составляющей. УДЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ - величина, обратная удельному сопротивлению. УДЕЛЬНОЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ - сопротивление участка пленки квадратной формы при протекании тока параллельно поверхности. УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ - относительное изменение удельного сопротивления при изменении температуры на 1 Кельвин (градус). УЛЬТРАФАРФОР - диэлектрический материал с высоким содержанием (порядка 80%) оксида алюминия, рассчитан на работу в области высоких частот. УПРУГАЯ ДЕФОРМАЦИЯ - обратимое изменение размеров и формы изделия за счет изменения расстояния между атомами. УРОВЕНЬ ФЕРМИ – максимальное значение энергии, которое может иметь электрон при температуре абсолютного нуля. ФЕРРИМАГНЕТИКИ - вещества, в которых магнитные моменты атомов выстраиваются антипараллельно друг другу. ФЕРРИТЫ - ферромагнитные полупроводники, представляющие собой двойные окислы, образованные окисью железа и окислами двухвалентных металлов; обладают высоким электрическим сопротивлением; применяются в магнитных цепях, эксплуатируемых на высоких частотах. ФЕРРОМАГНЕТИКИ - вещества, в которых магнитные моменты атомов взаимодействуют так, что они выстраиваются параллельно друг другу. ФОНОНЫ – временные искажения регулярности кристаллической решетки, вызванные тепловым движением атомов. ФОТОРЕЗИСТОР – приемник оптического излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости. ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА - свойства, определяющие пригодность материала для создания изделий высокого качества. ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ – совокупность свободных (коллективизированных) электронов, движение которых подчиняется законам классической статистики. ЭПИТАКСИЯ – метод ориентированного наращивания одного кристаллического вещества на поверхности другого кристалла, служащего подложкой.
|