Глоссарий (краткий словарь терминов)

АБСОРБЦИОННЫЙ ТОК - поляризационный ток в диэлектрике, обусловленный замедленными видами поляризации, характерными для многих технических диэлектриков.

АКТИВНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ - диэлектрики, свойствами которых можно управлять за счет внешних энергетических воздействий.

АКЦЕПТОРНАЯ ПРИМЕСЬ - вводимая в полупроводник электрически активная примесь химического элемента с валентностью ниже, чем у атомов основы.

АНТИФЕРРОМАГНЕТИКИ - вещества, в которых магнит­ные моменты атомов стремятся выстроиться антипараллельно друг другу.

БЛИЖНИЙ ПОРЯДОК – закономерное расположение ближайших соседей относительно каждого атома.

ВАКАНСИЯ – вид дефекта кристаллической решетки – незанятые атомами узлы кристаллической решетки.

ВЫНУЖДЕННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ – одновременное испускание согласованных по частоте и направлению электромагнитных волн (фотонов) под действием внешнего электромагнитного поля.

ВЫРОЖДЕННОЕ СОСТОЯНИЕ – состояние, при котором средняя энергия электронного газа практически не зависит от температуры.

ГЕНЕРАЦИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПАР - процесс одновременного образования пары свободных носителей электрического заряда (электрон и дырка).

ГЕТЕРОПЕРЕХОД – контакт двух полупроводников с различной шириной запрещенной зоны.

ГЕТЕРОСТРУКТУРА – переход, образованный двумя полупроводниковыми материалами, имеющими практически одинаковые постоянные кристаллической решетки и разные ширину запрещенной зоны, сродство к электрону, диэлектрическую проницаемость и другие свойства.

ДИАМАГНЕТИКИ - вещества, в которых имеет место полная взаимная компенсация орбитальных и спиновых магнитных моментов.

ДИСЛОКАЦИЯ - один из видов линейных дефектов кристаллической решетки, который представляет собой смещение атомных плоскостей.

ДИФФУЗИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ - легирование полупроводника с использованием диффузионных процессов.

ДИЭЛЕКТРИКИ - Материалы, основным электрическим свойством которых является способность к поляризации и в которых возможно существование электростатического поля. Условно к диэлектрикам относят материалы с удельным электрическим сопротивлением >10⁸ Ом м.

ДОНОРНАЯ ПРИМЕСЬ - вводимая в полупроводник электрически активная примесь химического элемента с валентностью выше, чем у атомов основы.

ДЫРКА - положительно заряженная «частица», которая образуется в валентной зоне при переходе электрона в зону проводимости.

ЖЕСТКОСТЬ МАТЕРИАЛА - способность сопротивляться деформации.

ЗАПРЕЩЕННАЯ ЗОНА - интервал энергий, которыми не могут обладать электроны.

ЗОННАЯ ТЕОРИЯ – теория валентных электронов, движущихся в усредненном поле кристаллической решетки.

ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ - легирование полупроводника с использованием ионной имплантации.

КОЭРЦЕТИВНАЯ СИЛА - напряженность магнитного поля, необходимая для уменьшения магнитной индукции до нуля.

КОЭФФИЦИЕНТ ФОРМЫ ПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТОРА - отношение длины резистивного слоя к его ширине.

КРИСТАЛЛ - твердое тело, име­ющее трехмерное периодическое пространственное расположение микрочастиц и приобретающее вследствие этого при определен­ных условиях роста форму многогранника. Кристалл обладает дальним порядком.

КРИСТАЛЛИТЫ (ЗЕРНА) - совокупность мелких кристаллов с искаженной структурой, они не являются единичными и образуются в стесненных условиях.

ЛАЗЕР – источник оптического когерентного излучения, характеризующийся высокой направленностью и большой плотностью энергий.

ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКА – процесс направленного введения примесей в полупроводник с целью получения полупроводников с заданным типом электропроводности.

ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ – электромагнитное нетепловое излучение, обладающее длительностью, значительно превышающей период световых колебаний. При люминесценции акты возбуждения и излучения света разделены во времени, что определяет достаточно длительное время свечения вещества после прекращения возбуждения.

ЛЮМИНОФОРЫ - вещества, способные люминесцировать.

P-N ПЕРЕХОД - контакт двух областей полупроводника с различным типом проводимости.

ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА - типовая несущая конструкция современной радиоэлектронной аппаратуры, состоящая из слоистого диэлектрического основания и печатных проводников.

ПОВЕРХНОСТНЫЙ ЭФФЕКТ (СКИН-ЭФФЕКТ) – явление, связанное с неравномерным распределением электрического тока по сечению проводника на высоких частотах: плотность тока максимальна на поверхности проводника и уменьшается по мере проникновения в глубь проводника.

ПОДВИЖНОСТЬ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА - средняя скорость носителей в электрическом поле единичной напряженности.

ПОЛИМОРФИЗМ - способность твердого вещества образовывать две и более кристаллические структуры, устойчивые при различных температурах и давлении.

ПОЛИКРИСТАЛЛ - со­вокупность неориентированных относительно друг друга зерен – кристаллитов.

ПОЛУПРОВОДНИК N-ТИПА - примесный полупроводник, основными носителями заряда в котором являются электроны.

ПОЛУПРОВОДНИК P-ТИПА - примесный полупроводник, основными носителями заряда в котором являются дырки.

ПОЛУПРОВОДНИКИ - Материалы, являющиеся по удельной проводимости промежуточными между проводниковыми и диэлектрическими материалами, отличительным свойством которых является сильная зависимость удельной проводимости от концентрации и вида примесей и различных дефектов, а также от внешних воздействий (температуры, освещенности и т.д.). Удельное сопротивление полупроводников в зависимости от строения и состава материала, а также от условий их эксплуатации может изменяться в пределах 10^-5 < <10⁸ Ом м.

ПОЛЯРИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИКА - процесс смещения связанных электрических зарядов на ограниченное расстояние под действием внешнего электрического поля.

ПРИМЕСНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК - полупроводник, в который введена донорная (элементы 5 группы системы Д.И.Менделеева) или акцепторная (элементы 3 группы) примесь.

ПРОБОЙ ДИЭЛЕКТРИКА - явление образования в диэлектрике каналов проводимости при воздействии сильного электрического поля и, как следствие, резкого уменьшения сопротивления диэлектрика.

ПРОВОДНИКИ - Материалы, основным электрическим свойством которых является сильно выраженная электропроводность. Их применение в технике обусловлено, в основном, этим свойством, определяющим высокую удельную электрическую проводимость при нормальной температуре. Условно к проводникам относят материалы с удельным электрическим сопротивлением <10^-5 Ом м.

ПРОЧНОСТЬ МАТЕРИАЛА - способность противостоять разрушению.

РАССТЕКЛОВЫВАНИЕ – переход вещества из метастабильного стеклообразного состояния в более устойчивое кристаллическое состояние.

РЕКОМБИНАЦИЯ ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫХ ПАР - процесс, обратный процессу генерации электронно-дырочных пар, при котором электрон и дырка перестают существовать как носители электрического заряда.

СВЕРХПРОВОДИМОСТЬ - явление резкого скачкообразного падения сопротивления при температурах, близких к абсолютному нулю. Температура, при которой происходит переход в сверхпроводящее состояние, называют критической температурой Т_кр.

СВЕТОДИОД (светоизлучающий диод) – полупроводниковый прибор с р-n-переходом, протекание через который электрического тока в прямом направлении вызывает интенсивное некогерентное оптическое излучение.

СИТАЛЛЫ - стеклокристаллические материалы, получаемые путем неполной стимулированной кристаллизации стекол особого состава.

СКВОЗНОЙ ТОК (ТОК СКВОЗНОЙ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ) - ток, обусловленный наличием в диэлектрике собственных носителей заряда, а также возможной инжекцией носителей заряда из электродов.

СПЛАВЫ - материалы, структура которых представляет собой механическую смесь различных металлов, либо твердый раствор одного металла в другом. В качестве добавок в состав сплавов могут входить и неметаллические составляющие.

СПОНТАННАЯ (САМОПРОИЗВОЛЬНАЯ) ПОЛЯРИЗАЦИЯ - наличие электрического дипольного момента в отсутствии внешнего электрического поля, обусловлено особенностями строения сегнетоэлектриков.

СТАБИЛЬНОСТЬ МАТЕРИАЛА - Способность сохранять внутреннее строение и внешнюю форму при изменении условий в процессе длительной эксплуатации.

ТАНГЕНС УГЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ (tg ) - мера диэлектрических потерь, позволяет определять мощность, рассеиваемую в диэлектрике.

ТЕМПЕРАТУРНЫЙ КОЭФФИЦИЕНТ УДЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ – относительное изменение удельного сопротивления при изменении температуры на 1 Кельвин (градус).

ТЕРМОПАРА – термоэлемент, составленный из двух различных проводников, образующих замкнутую цепь; при различной температуре контактов в замкнутой цепи возникает термоэлектрический ток.

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА - свойства, характеризующие поведение материала при обра­ботке. В зависимости от методов обработки (механическая, термическая, химическая, электрохимическая и т. п.) наибольшее значение могут приобретать различные свойства, такие, как твердость, пластичность, способность обра­зовать пассивирующее покрытие при окислении, стойкость в хи­мически агрессивных средах, пределы растворимости легирующих примесей.

ТОК УТЕЧКИ - полный ток, протекающий через диэлектрик и представляющий собой сумму абсорбционного тока и сквозного тока.

ТОЧКА КЮРИ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА - температура, выше которой исчезают электрические домены и спонтанная поляризация.

УГОЛ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ - угол, дополняющий до прямого угол сдвига фаз между током и напряжением в емкостной цепи или,. угол между вектором полного тока и его реактивной состав­ляющей.

УДЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ - величина, обратная удельному сопротивлению.

УДЕЛЬНОЕ ПОВЕРХНОСТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ - сопротивление участка пленки квадратной формы при протекании тока параллельно поверхности.

УДЕЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ - относительное изменение удельного сопротивления при изменении температуры на 1 Кельвин (градус).

УЛЬТРАФАРФОР - диэлектрический материал с высоким содержанием (порядка 80%) оксида алюминия, рассчитан на работу в области высоких частот.

УПРУГАЯ ДЕФОРМАЦИЯ - обратимое изменение размеров и формы изделия за счет изменения расстояния между атомами.

УРОВЕНЬ ФЕРМИ – максимальное значение энергии, которое может иметь электрон при температуре абсолютного нуля.

ФЕРРИМАГНЕТИКИ - вещества, в которых магнитные моменты атомов выстраиваются антипараллельно друг другу.

ФЕРРИТЫ - ферромагнитные полупроводники, представляющие собой двойные окислы, образованные окисью железа и окислами двухвалентных металлов; обладают высоким электрическим сопротивлением; применяются в магнитных цепях, эксплуатируемых на высоких частотах.

ФЕРРОМАГНЕТИКИ - вещества, в которых магнитные мо­менты атомов взаимодействуют так, что они выстраиваются парал­лельно друг другу.

ФОНОНЫ – временные искажения регулярности кристаллической решетки, вызванные тепловым движением атомов.

ФОТОРЕЗИСТОР – приемник оптического излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости.

ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ СВОЙСТВА МАТЕРИАЛА - свойства, определяющие пригодность материала для создания изделий высокого качества.

ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ – совокупность свободных (коллективизированных) электронов, движение которых подчиняется законам классической статистики.

ЭПИТАКСИЯ – метод ориентированного наращивания одного кристаллического вещества на поверхности другого кристалла, служащего подложкой.

Date: 2015-07-25; view: 554; Нарушение авторских прав