МДП (MOSFET) транзисторы типа металл-диэлектрик-пп

Національний технічний університет України

Київський політехнічний інститут» Кафедра мікроелектроніки

КУРСОВА РОБОТА

Содержание

АННОТАЦИЯ.

СПИСОК УСЛОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ

ВСТУПЛЕНИЕ

1 Использование САПР в проектировании интегральных микросхем

1.1 Современное положение в индустрии EDA

2 Алгоритм создания ИМС в среде Cadence Virtuoso

2.1 Composer Schematic Editor

2.2 Layout Editor

3 Иерархический подход к проектированию ИМС

4 Моделирование работы и параметри полученых устройств

4.1 Virtuoso Analog Design Environment- интерфейс и возможности

4.2 Результаты моделирования

5 Достижение предела классических подходов с использованием ОДУ. Пути решения кризиса

ВЫВОДЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

ПРИЛОЖЕНИЯ

Приложение А Топология ИМС

АНОТАЦИЯ

В работе очерчены современные тенденции в области проектирования интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.Сделан акцент на иерархическом подходе к проектированию.Именно он позволяет создавать сверхбольшие ИМС.

Ключевые слова: МДП,САПР, EDA, ИМС

Список условных сокращений

МДП (MOSFET) транзисторы типа металл-диэлектрик-пп

БПТ (BJT) биполярные транзисторы

КМДП (CMOS) комплементарные МДП

ІМС (ІС) интегральная микросхема

NAND логический элемент И-НЕТ

LOCOS технология локального окисления кремния

САПР система автоматизированого проектирования

EDA САПР в электронике