Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Электрическое поле барьера при равновесном сост-ии p-n перехода. ⇐ ПредыдущаяСтр 7 из 7
При образовании p-n перехода, электрон начинает переходить в p- область и встречается с дыркой, они рекомбинируют. В некоторой приграничной области p- типа будет почти отсутствовать свободные носители заряда. В области р возникает огранич слой отриц ионов. В области p-n перехода возникает внутреннее эл поле, которое препятствует переходу основных носит заряда через p-n переход. В равновесном состоянии через p-n переход будет проходить маленькая доля основных носит заряда, этим будет обуславл дифузионный ток основных носителей. Также через p-n переход беспрепятственно будет переходить не основн носитель. Ток основн и не основн носителей зарядов одинаков. . С изменением Т концентрация е и дырок способных преодолеть p-n переход изменяется по след закону: ; n1, p1 концентрация n и p типа. p-n переход обладает вентильным свойством след-но в одну сторону пропускает носителей в другую сторону нет.
22) Прямое включение. Вольт-Амперные харак-ки p-n перехода. При прямом включении диода, поле от внешнего источника уменьшает величину потенциального барьера для основных носителей заряда, т.е. через p-n переход увелич поток основных носителей заряда.
Date: 2016-11-17; view: 392; Нарушение авторских прав |