Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Примесные полупроводники.
|
|
На проводимость п-ка, большое влияние оказываю примеси. При добавлении донорной примеси, образуются липшие электроны. Основными носителями заряда станут электроны. Проводимость будет называться электронной.
При добавлении акцепторной примеси, образуется лишнее кол-во “дырок”(положительно заряженные носители).Основными носителями заряда станут “дырки”. Проводимость будет дырочной.
Подвижность носителей в области низких температур из-за рассеяния на ионах примеси пропорциональна 
. В области высоких температур основное значение имеет рассеяние на тепловых колебаниях решетки (фононах) и 
т.е. подвижность с ростом температуры уменьшается. Но так как концентрация свободных носителей заряда с ростом температуры увеличивается значительно быстрее, чем уменьшается подвижность, то проводимость растет по закону
,
- энергия активация примеси (или ширина запрещенной зоны); k – постоянная Больцмана; 
-коэффициент температурной чувствительности.
Терморезистор
это полупроводниковый прибор, электрическое сопротивление которого зависит от температура.
,
Где R0 - условное сопротивление полупроводника при 
; 
- энергия активация примеси (или ширина запрещенной зоны); k – постоянная Больцмана; -коэффициент температурной чувствительности
Эффект Холла.
Если через проводящую пластинку пропускать ток, а перпендикулярно пластинке направить магнитное поле, то в направлении поперечном току (и направлению магнитного поля) на пластинке появится напряжение
Обозначим: Ex – напряженность электрического поля, обусловленного ЭДС Холла, h – толщина ленты проводника. 
Перераспределение зарядов прекратится, когда сила qEx уравновесит лоренцеву силу, т.е.
или 
20) Получение p – n перехода
p – n переходом называют область, находящуюся на границе раздела между дырочной и электронной областями одного кристалла. Он создаётся в одном кристалле введением двух различных примесей, создающем в нём электронную и дырочную области.
При T=const преход в p-слое и в N-слое проходит в состоянии равновесия. Особенность этого состояния заключается в том, что для всего объёма полупроводника в равновесном состоянии уровень Ферми имеет одинаковое значение
Высота потенциального барьера равна контактной разности потенциалов. Это разность потенциалов в переходе.
Date: 2016-11-17; view: 245; Нарушение авторских прав