Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Сильно вироджені напівпровідники
|
|
Цей випадок реалізується, коли рівень Фермі лежить вище дна зони провідності на (2-3) kT або нижче стелі валентної зони на таку ж величину.
Для n -типу напівпровідників ця умова означає
а в інтегралі Фермі exp(x -η)≪1, а тому за верхню границю інтегрування можна взяти
xmax = (EF - Ec)/(kT),
що виконується точно при Т = 0 і достатньо точно при вищих температурах. В такому разі для концентрації електронів одержимо
при цьому концентрація дірок визначається за формулою (1).
Якщо ж рівень Фермі лежить нижче стелі валентної зони (напівпровідник р -типу), тоді
а концентрація електронів у зоні провідності визначиться за формулою (3).
З наведених формул випливає, що у сильно вироджених напівпровідниках концентрація вільних носіїв не залежить від температури, як у металах.
Date: 2016-05-15; view: 348; Нарушение авторских прав