Построение и анализ ВАХ и графиков полупроводникового диода

4.5.1 По данным таблиц 2 и 3, построили ВАХ - график зависимости силы тока от напряжения на полупроводниковом диоде. Масштаб для прямого и обратного напряжений для наглядности выбрали различный: для прямого напряжения 0,5 см ~ 0,1В для обратного напряжения 1 см - 10В.

4.5.2 По данным таблиц 2 и 3, построили график зависимости сопротивления диода от напряжения на нем. Масштаб для прямого и обратного напряжений для наглядности выбрали различный: для прямого напряжения 0,5 см ~ 0,1В для обратного напряжения 1 см - 10В.

4.5.3. Определили напряжение изгиба ВАХ полупроводникового диода.

Напряжение изгиба определяется из вольтамперной характеристики элемента, смещенного в прямом направлении, для точки, где характеристика претерпевает резкий излом.

4.5.4. Определили по ВАХ начальное напряжение пробоя полупроводникового диода.

Начальное напряжение пробоя определяется из вольтамперной характеристики диода, смещенного в обратном направлении, для участка начала увеличения обратного тока и резкого излома характеристики.

4.5.5. Сделать выводы по результатам произведенных экспериментов и построенным ВАХ и графикам.