Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Порядок выполнения работы. Типы исследуемых полупроводниковых диодов, пределы изменения величины источников питания выбирали согласно номеру варианта и определяли согласно таблице 1

⇐ ПредыдущаяСтр 13 из 16Следующая ⇒

Типы исследуемых полупроводниковых диодов, пределы изменения величины источников питания выбирали согласно номеру варианта и определяли согласно таблице 1 Таблица1

№ варианта                
Тип диода BAV19 philips. BBY31 zalex BA220 philips BAT81 philips BYM10-50 general BAS86 philips. 1N3064 national BAS85 philips
Е, В Табл №3                
               
               
               
               
    100,1       100,2  
  44,5 100,2       100,4  
  44,7 100,25       100,6  
  44,8 100,3   59,1   100,8  
  44,9 100,35   59,2      
    100,4   59,3   101,5  
  45,1 100,41   59,4      
  45,2 100,42   59,5   102,5  
  45,5 100,43   59,6      

4.1 Исследование зависимости силы прямого тока от приложенного к полупроводниковому диоду напряжения.
 Собрали электрическую цепь по схеме рис. 1. Тип исследуемого полупроводникового диода выбрали согласно номеру варианта из таблицы 1

 

 
 

 


IПР UПР

Е VD1 Рис.1

 

 

Подавали прямое напряжение на диод VD1 от изменяемого по величине источника ЭДС (Е). Производили замеры прямого тока через диод IПР и прямого падения напряжения да диоде UПР. Результаты измерений занесли в таблицу 2:

 

Е, В 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9
IПР, мА 0.1 0.2 0.311 0.921 25.27 1.016 0.01 29.27 50.72
UПР, В 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
RПР, Ом 1Ком 1КОм 0.96 КОм 0.43 КОм 0.019 КОм 0.59 КОм 70Ом 0.027 КОм 0.17 КОм
Е, В 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1.5      
IПР, мА 73.33 96.54 120.1 143.9 167.9 192.1      
UПР, В   1.1 1.2 1.3 1.4 1.5      
RПР, Ом 0.013 КОм 0.011 КОм 0.009 КОм 0.009 КОм 0.008 КОм 0.007 КОм      

 

Рассчитали прямое сопротивление диода. Результаты расчетов записали в таблицу 2.

4.2 Исследование зависимости силы обратного тока от приложенного к полупроводниковому диоду напряжения.
 Собрали электрическую цепь по схеме рис. 2. Тип исследуемого полупроводникового диода, пределы изменения величины источника питания (Е) выбрали согласно номеру варианта и определили согласно таблице 1

 

 
 

IОБР UОБР

VD1

Рис.2

E

 

Подавали обратное напряжение на диод VD1 от изменяемого по величине источника ЭДС (Е). Производили замеры обратного тока через диод IОБР и обратного падения напряжения на диоде UОБР. Результаты измерений занесли в таблицу 3:

Е, В (обр)           100.2 100.4
IОБР, мА           100.2 100.9
UЛБР, В           100.2 100.4
RОБР, Ом 1 КОм            
Е, В 100.6 100.8   101.5   102.5  
IОБР, мА 1.116 29.37 73.42 192.2   436.8 560.2
UОБР, В 100.6 100.8   101.5   102.5  
RОБР, Ом              

Рассчитали обратное сопротивление диода. Результаты расчетов записать в таблицу 3.


⇐ Предыдущая78910111213141516Следующая ⇒





Date: 2016-01-20; view: 598; Нарушение авторских прав


mydocx.ru - 2015-2025 year. (0.239 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию