Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
Исследование полупроводникового резистора
Студент(ка)___________
Группа_______________
Преподаватель________
Дата_________________
На внутренних страницах:
1. Расчетная формула для измеряемой величины.
где k = 1.3810-23Дж/К - постоянная Больцмана;
R 1, R 2- сопротивления резистора при температурах T 1и T 2.
2. Средства измерений и их характеристики.
| Наименование средства измерения | Предел измерений | Цена деления шкалы | Предел основной погрешности или класс точности |
3. Задача 1. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового резистора.
Результаты измерений
Данные к построению вольтамперной харктеристики
Таблица П. 1.1.
| Напряжение U, В | ||||||||||
| Сила тока I, мА |
4. Задача 2. Исследование температурной зависимости электрического сопротивления полупроводникового резистора и определение ширины запрещенной зоны в собственном полупроводнике
Зависимость сопротивления полупроводникового резистора от температуры
Таблица П.1.2
| t, oC | T, K | 1000/ T, K-1 | R, Ом | ln R |
5. Расчет ширины запрещенной зоны в исследуемом полупроводнике проводят по графику ln R = f (1/ T)
Eg = эВ.
6. Оценка погрешностей
6.1. Расчет среднеквадратичного отклонения производят методом наименьших квадратов
Таблица П.1.3
| R, Ом | T, K | 1/ T, K-1 | ln R | 
|  2
|  lnRi
| d i=
= 
|
=,
=
=
=
S<Eg> = Δ b = эВ
6.2. Граница погрешности
Eg = tS<Eg> =...эВ.
7. Окончательный результат:
Eg = < Eg > Eg = (......) эВ, P = 0.95.
Выводы (проанализировать полученную вольтамперную характеристику полупроводникового резистора, сравнить ширину запрещенной зоны с табличным значением).
2. ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ p-n ПЕРЕХОДА И ОПРЕДЕЛЕНИЕ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКА.
(Работа № 36)
Date: 2015-05-18; view: 783; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА... |