Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Характеристики МДП транзистораХарактеристики прибора зависят от структуры канала (встроенный или индуцированный). Для прибора с встроенным каналом напряжение на затворе Vз может быть как отрицательным, так и положительным. При отрицательном напряжении Vз электроны частично «выталкиваются» из канала и канал обедняется основными носителями. При этом проводимость канала и ток стока уменьшаются. Этот режим работы МДП транзистора называется режимом обеднения. При положительном напряжении на затворе Vз электроны дополнительно притягиваются в область канала и он обогащается носителями. Проводимость канала и ток стока в этом случае увеличиваются. Такой режим работы называется режимом обогащения. В МДП транзисторах с индуцированным каналом напряжение на затворе, при котором транзистор способен усиливать сигнал может быть только одной полярности: положительной для транзисторов с n-каналом и отрицательной для транзисторов с р-каналом. При другой полярности напряжения на затворе в транзисторах с индуцированным каналом ток стока отсутствует. Для тогочтобы создать канал и вызвать протекание тока, необходимо подать на затвор достаточно большое напряжение, которое приводит к образованию инверсного слоя. Выходные характеристики транзисторов с индуцированным и встроенным каналами имеют вид, представленный на рис. 1.42. Если на семействе выходных характеристик провести линию постоянного напряжения стока и начертить зависимость между выходным током и входным напряжением, то получится кривая, которая носит название передаточной характеристики.
Рис. 2.42. Характеристики МДП транзистора с встроенным каналом р-типа
Передаточные характеристики полевых транзисторов с индуцированным и встроенным каналами приведены на рис. 1.43 и иллюстрируют величину порогового напряжения и квадратичный характер зависимости между входным напряжением и выходным током прибора. Если к стоку приложено небольшое напряжение, то. ток от истока к стоку течет через проводящий канал, который действует как сопротивление, и ток стока Is пропорционален
Рис. 2.43. Передаточные характеристики МДП транзистора: 1) с встроенным каналом; 2) с индуцированным каналом
напряжению Vs. Это линейная область работы прибора. Если напряжение на стоке увеличивать, то в конце концов достигается такое его значение, при котором глубина канала вблизи стока становится равной нулю. Это соответствует отсечке, за которой ток стока испытывает насыщение и практически не меняет своей величины с ростом напряжения стока. Поскольку наибольший потенциал в канале наблюдается у стокового электрода, то перекрытие канала наступает со стороны стока. При дальнейшем повышении напряжения на стоке МДП транзистор переходит в состояние все более глубокого насыщения. Это приводит к увеличению обедненных областей, прилегающих к стоку, и уменьшению длины канала. Слишком большое увеличение напряжения на стоке может вызвать распространение обедненной области от стока до истока, что приводит к возникновению неконтролируемого тока, величина которого будет ограничиваться только внешними элементами цепи. Напряжение стока, соответствующее переходу вольт-амперной характеристики от крутой области к пологой, называется напряжением насыщения Vs.н. Для определения напряжения Vs.н полагают, что заряд подвижных носителей в области стока равен нулю. Математически это выражается следующим уравнением: Cd(V3 - Vs.н) = - (Qss – Qos) (2.4.19) Vs.н = V3 - Vпор, где Vпор = (Qss + Qos)/Cd. Таким образом, справа от граничной линии Vs.н прибор работает в пологой области и |Vs| > |V3 — VПОР|, слева от этой линии прибор работает в крутой области и |Vs| > |V3 — VПОР|.
|