Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Статические параметры транзисторов

⇐ ПредыдущаяСтр 21 из 67Следующая ⇒

Статические параметры транзисторов позволяют установить взаимосвязь между малыми изменениями токов и напряжений, что особенно важно при работе транзисторов в режиме линейного усиления сигналов. К основным статическим параметрам относятся следующие.

1. Дифференциальный коэффициент передачи:

а) эмиттерного тока в схеме с ОБ; α = Ic/ Ie при Vc=const (2.23а).

а) базового тока в схеме с ОЭ; B0 = Ic/ Ib при Vc=const (2.23б).

2. Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода:

re = Ve/ Ie при Vc=const. (2.24а)

Дифференцируя соотношение (1.16б), имеем: re = kT/αIe (2.24б).

При комнатной температуре re порядка 10 Ом.

3. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода:

re = Vс/ Iс при Ie=const (2.25а).

Этот параметр обусловлен модуляцией (изменением) толщины базы переменным напряжением на коллекторе. Эффект проявляется в том, что при изменении толщины базы изменяется доля инжектированных носителей, достигающих коллектора, при неизменном токе эмиттера. Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода можно определить по формуле

. (2.25б)

Сопротивление re имеет величину порядка 106 Ом.

4. Коэффициент внутренней обратной связи по напряжению

μec = Ve/ Ic при Ie=const. (2.26а).

Наличие обратной связи по направлению от эмиттера к коллектору также является следствием модуляции базы. Изменение толщины база при изменении напряжения на коллекторе приводит к изменению концентрации дырок у эмиттерного перехода в базе при Ie=const, что эквивалентно изменению эмиттерного напряжения.

Величину μec можно оценить по формуле:

μec = - , (2.26б)

что при типичных значениях параметров дает μec»10-4 В/А.

5. Напряжение, приложенное между базой и эмиттером Vbe падает на эмиттерном p-n-переходе и на объемном сопротивлении базы rb.

Vbe = Ve +Ib rb (2.27а)

Поскольку ток базы течет в направлении, перпендикулярном потоку дырок, то активное сопротивление определяется геометрическими размерами базы

rb = Kρb/W. (2.27б)

Здесь ρb – удельное сопротивление базы, K» 0,1 – коэффициент, определяемый геометрией транзистора.

Из приведенных формул можно определить взаимосвязь между внутренними параметрами транзистора

2μecrк(g-a) = rэ (2.28)

 


⇐ Предыдущая16171819202122232425Следующая ⇒





Date: 2015-05-09; view: 617; Нарушение авторских прав


mydocx.ru - 2015-2025 year. (0.173 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию