Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Определение параметров нагрузкиТок на нагрузк: Iн = Uпит / Rн = 6 / 100 = 60 mA. Мощность нагрузки: Pн = Uпит × Iн = 6×0,06=0,36 Вт Выбор транзисторов, по допустимой мощности рассеяния на коллекторе, и максимальной амплитуде коллекторного тока: Ток коллектора транзистора: Iк = Iн = 60 mA. Мощность: Pmax = 0,36 Вт Напряжение на переходе коллектор - эмиттер Uкэ = 6 В По этим параметрам выбираем транзистор для фильтра: BC547 со следующими параметрами: Максимальный прямой ток коллектора: Ik max = 0,1 (A) Максимальное напряжение на транзисторе Uкэ max = 45 (B) Мощность рассеивания: Pk max = 0,5 (Bт) Коэффициент усиления: h21 = 110-800 (среднее значение 440). Материал полупроводника: Si. Графоаналитический метод: Uкэ = Еп / 2 = 6 / 2 = 3 B (при усилении переменных сигналов на коллекторе, как правило, устанавливается половина напряжения питания при закрытом транзисторе) Iк = Еп / 2Rн = 6 / (2*100) = 0,03 A В системе координат выходной характеристики строим треугольник мощности: прямая Uнач. отсекает область существенной нелинейности токов базы, от Uнач. откладываем величину Uкэ, затем соединяем точки Iк и Uкэ. Далее строим Рк доп- нагрузочная кривая, которая в данных расчётах не должна заходить в область треугольника мощности, но максимально приближаться к нему. Из этого следует, что транзисторы работают без радиаторов (т.е. рассеиваемая мощность на транзисторе не превышает его допустимой выходной мощности).
Рис. 4 Семейство выходных характеристик транзистора ВС547
Рис.5 Входная характеристика транзистора ВС547
|