Усилительный каскад с ОЭ с динамической нагрузкой

Резистор в цепи коллектора Rк не позволяет обеспечить высокую загруженность и одновр. Кu.

Динамическая нагрузка позволяет повысить Кu, сохранив на сравнительно большом уровне Iкп, т.е. сохранить нагружаемость.

Сощность: резистор в цепи коллектора замыкается третьим источником тока, высоко внутреннее сопротивление.

В качестве источника тока наибольшего эфор-на сх. с ОБ.

Сх. с ОБ:VT2,R_э2,R

VD1,VD2,VD3 – источник смещения в виде диод.стаб.

(U_б2>0,6 В – откр.сост; U_б2> U_бэ

При этом напряжение на эммиторе VT2: U_э2=U_б2-U_бэ=U_б2-0,6 В

I_э2=U_э2/R_э2=U_б2-0,6/R_э2

Если β>>1,(α→1), то I_к2=I₂ и будет определяться независимо от U_к2

R – балластный резистор стабилизатора.

41. Расчет Rб₁ и Rб₂ резистивного делителя.

По исходным требованиям к Rк (или Rн) и исходным требованиям к коэффициенту усиления Кu

1) Рассчитать ориентированную величину Rэ<=Rк/Кu

2) Определим ориентированную величину Iбп

Iбп=Ек-Uкн-Uэmax/2βRк, Uкн<<Ек

где Uэmax – max падение напряжения в точке Uэ

Uэmax=Iэmax*Rэ=Ек*Rэ/Rк (пренебрегая Uкн)

Uкн – U насыщенность коллектора (Uкн=0,2 В)

3) Определяем I через Rб₁:

I_Rб1= Iбп + I_Rб2=K_iб* Iбп

I_Rб2=(K_iб – 1)*Iбп

K_iб=3..6 коэффициент резистивного делителя

Основные признаки выбора K_iб: с целью повышения термостабильности схемы ток через делитель д.б. больше, чем ток базы транзистора (малое влияние на положения ИРТ)

4) Определим ориентированную величину Есм:

Есм_п=[r_вхоэ*(1+1/ K_iб)*(Ек-Екн- Uэmax)/2βRк]+Uбэ₀

Есм_п – напряжение опирания транзистора (‘Пятка’)

5) Рассчитываем сопротивление Rб₁ и Rб₂

Rб₁ =Ек-Есм_п/I_Rб1

Rб₂ = Есм_п/I_Rб2

6) Уточняем напряжения

Есм_п=Rвхоэ(Ек-Uкн-Uэmax)/2βRк + Uбэ₀-Iк₀(Rб||Rвхоэ),

где Rб=Rб₁||Rб₂

Uкн=0,2 В

7) Рассчитываем Iбп

Iбп=Есм_п-Uбэ₀+Iк₀(Rб₁|| Rб₂+||r_вхоэ)/Rвхоэ