Транзистор с индуцированным каналом

Подложка выполняет вспомогательную функцию.

Р/м как устроен схематично МОП транзистор со встроенным каналом

Uзи м.б >0, =0,<0. В исходных пластинах Si p-типа c пол. Деффуз. Техн созданием обл И, С и канала n типа. Слой окислителя кремния выполняет функцию защиты поверхности, близкой области И и С, так же изолирует затвор от канала. Вывод подложки часто подсоединяется к И. ВАХ МОП транзисторов со встроенным каналом. Вид стоковой характеристики близок к виду х-к фильтров с pn переходом, разница Uзи мб как =0, так и >0,<0.

Р/м Uиз=0 по каналу течет ток, который определяется исходной проводимостью канала и Uси. На начальном участке характенристики когда падение U на канале мало зависимость Ic(Uси) близка к линейной по мере приближения к точке б падение U в канале приводит к его сужению и большему влиянию сужения на проводимость, это у меньшает крутизну нарастания I, в точке б канал сужается до минимума, что еще больше ограничивает нарастание тока. В конечном итоге наступает стабилизация I. Если Uзи <0, то поле затвора оказывает отталкивающее действие на электроны, которые являются носителями заряда в канале.Это приводит к изменению из концентрации в каналек и изменению проводимотси в канале. Такой режим называется режимом объединения. Стоковые характеристики расположены ниже кривой Uзи=0, если Uзи>0 поле затвора притягивает электроны из p слоя в канал. Концентрация носителей увеличивается, режим обогащения. Т.о транзистор со встроенным каналом может работать как в режиме объединения так в режиме обогощения.