Стоковые вых х-ки

Транзистор с pn переходом, канал n типа. Iс=F(Ucи), при этом (Uзи=const ). Имеются явно выраженные 3 области 1 Крутая, 2 Пологая, 3 Пробоя, т.е переход исток-сток.

Р/м Uзи=0. U учитываем от 0 до точки а влияние Uис на проводимость канала незначительно, поэтому здесь применяем линейную зависимость в обл Ic(Uис).

Такая линейная зависимость широко используется в схемах для создания управляемого омического сопротивления, оно свободно от паразитных эдс, которые связаны с зарядом. На участке а-б увеличивается Uис. В точке б канал сужается до минимума, смыкается pn переход, дальнейшее повышение Uис теоретически не должно увеличить Iс, т.к с увеличением Uис имеем разного рода утечки и влияет Эл поле pn перехода, который прилегает к каналу. Третий участок ВАХ характеризуется резким возрастанием тока, который вызван лавинным пробоем pn перехода, пробой идет по центру С-З(в точке d и выше может произойти пробой pn перехода, на уч C-З). Если Uис<0, то исходная проводимость канала уменьшается (рис 3).В связи с этим начальные участки кривых имеют меньшую крутизну нарастания тока. Перекрытие канала происходит при меньшем напр Uис чем в сл 1 (рис 1).

Перекрывание канала соответствует абсциссе точки Uз, при кот Ic=0 называется напряжением отсечкиUзи0; числ. Зн. Uзи0=Uис в точке ВАХ при Uзи=0.

Управление выходным током в полевом транзисторе производится Uзи, поэтому важное значение имеет стокозатворная характеристика (или проходная характеристика транзистора). Она имеет большой практический смысл. Iс=F(UЗи) при (Uси=const).

Важным параметром является крутизна характеристики S=dIс/dUзи приUис=const, т.о

S=ΔIc/ΔUзи при Uси=const. Заметим, что хар-ка сток-затвор располагается только во втором квадрате. Внутреннее сопротивление транзистора ri=dUси/dIс при Uзи=const. В области два давление высокое ri=ΔUси/ΔIс при Uзи=const. Входное сопротивление транзистора rвх= ri=dUзи/dIз в отличие от биполярных транзисторов. Напряжение входа полевых транзисторов много больше. Тк изменение входного тока - изменение обратного тока pn перехода (он очень небольшой), значит сопротивление входа очень большое. Измеряется десятками Мом. Статический коэф усиления M=S*ri,

М=-dUuc/dUзи, при Iс=const. В полевых транзисторах учитывается большое ri и rвых, усиливается влияние межэлектродных емкостей (З и И, Зи С) которые существенно влияют на частные свойства полевых транзисторов.