Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?

Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Схемы замещения и параметры транзистора





 

Для аналитического расчета цепей с транзисторами широко используют схемы замещения. Получили распространение физические и формализованные модели транзистора. В физической схеме замещения ее параметры связаны с физическими (собственными) параметрами транзистора. На рисунке 2.6, а, б показаны Т-образные схемы замещения для переменных токов и напряжений для схем ОБ и ОЭ соответственно. Они справедливы для линейных участков входных и выходных ВАХ транзистора, на которых параметры транзистора можно считать неизменными.

 

 

Рисунок 2.6

 

Здесь rЭ - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода (включенного в прямом направлении):

 

, при UКБ = const.

 

Значения rЭ зависят от постоянной составляющей тока эмиттера:

 

.

 

Числовое значение rЭ лежит в пределах от единиц до десятков Ом. RБ - поперечное объемное сопротивление базы сопротивление базовому току. Обычно rБ >> rЭ и составляет 100 ¸ 500 Ом. Эквивалентный источник тока a×IЭ учитывает транзитную составляющую приращения эмиттерного тока, проходящую через базу в коллектор.

Сопротивление, равное

 

,

является дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода (включенного в обратном направлении); учитывает изменение коллекторного тока с изменением напряжения UКБ. Значения rK лежат в пределах 0,5 ¸ 1 МОм.

Емкости СЭ и СК - это емкости эмиттерного и коллекторного переходов. Каждая из них равна сумме барьерной и диффузионной емкостей соответствующего перехода.

Поскольку на высоких частотах емкость СК шунтирует большое сопротивление rK, она сильно влияет на работу транзистора, а емкость СЭ шунтирует малое сопротивление rЭ и ее влияние незначительно. Емкость СК учитывают при частотах, составляющих десятки килогерц, а емкость СЭ - при частотах, превышающих единицы и десятки мегагерц. При работе на средних частотах (от десятков герц до единиц килогерц) емкости переходов не учитывают и в схему замещения не вводят.



Широкое распространение получили формализованные модели транзистора. Они основаны на представлении транзистора в виде четырехполюсника, который может быть характеризован одной из шести систем уравнений, связывающих между собой входные и выходные токи и напряжения. Чаще всего используются система уравнений на базе h-параметров:

 

 

Схема замещения транзистора для системы h-параметров показаны на рисунке 2.7. Система на базе h-параметров позволяет легко измерить и определить по ВАХ транзистора. Эти параметры имеют следующий физический смысл:

- h11 = U1 / I1, при U2 = 0 - входное сопротивление транзистора в режиме короткого замыкания (к. з.) на выходе для переменного тока;

- h12 = U1 / U2 , при I2 =0 - коэффициент обратной связи по напряжению в режиме холостого хода (х. х.) на входе для переменного тока;

- h21 = I2 / I1 ,при U2 = 0 - коэффициент передачи тока в режиме к.з. на выходе для переменного тока;

- h22 = I2 / U2 , при I1 =0 - выходная мощность транзистора в режиме х.х. на входе для переменного тока.

 

 

Рисунок 2.7

 

Значения h-параметров зависят от схемы включения транзистора, h-параметры транзистора связаны с их физическими параметрами в схеме ОБ следующими соотношениями:

 

 






Date: 2015-05-08; view: 393; Нарушение авторских прав

mydocx.ru - 2015-2019 year. (0.007 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию