Каскад с общим стоком
1. Установить лицевую панельку № 7 для схемы с общим стоком (устанавливает преподаватель или лаборант).
2. Переменные резисторы Rг и Rн установить на минимальное сопротивление (Rг против часовой стрелки до упора, Rн по часовой стрелке до упора). В данном случае Rг = Rизм = 100 Ом, Rн = Rизм1 = 100 Ом.
3. Включить лабораторную установку.
4. Для снятия амплитудных характеристик каскада с общим истоком повторить пункты 9 - 19 порядка выполнения работы каскада с общим стоком.
Таблица 4.1 – Результаты измерений
Исследуемая схема:
| Параметры Rг = кОм Rн = кОм
| Uвх
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Uвых
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| Uвх при котором начинаются искажения сигнала на выходе:
| Падение напряжения на Rизм для расчета Iвх:
| Падение напряжения на Rизм1 для расчета Iвых:
|
ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОПРОВЕРКИ
1. Какая схема включения транзистора называется каскадом с общей базой (ОБ)?
2. Какой порядок имеют коэффициент усиления по напряжению, по току и входное сопротивление каскада ОБ?
3. Объясните преимущества и недостатки каскада ОБ.
4. Дайте сравнительную оценку амплитудных характеристик каскадов ОБ, ОК, ОЭ.
5. Какими преимуществами обладают усилительные каскады на полевых транзисторах?
6. Какой порядок имеют коэффициент усиления по напряжению, по току и входное сопротивление каскада с общим истоком (ОИ) на полевом транзисторе?
7. Какой порядок имеют коэффициент усиления по напряжению, по току и входное сопротивление каскада с общим стоком (ОС) на полевом транзисторе?
8. Поясните, чем определяется входное сопротивление каскада на полевом транзисторе.
9. Дайте сравнительную оценку каскадов ОИ и ОС.
10. Почему каскад ОС называют истоковым повторителем?
11. Чем отличаются амплитудные характеристики каскадов ОИ и ОС?
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
1. Забродин Ю.С. Промышленная электроника. – М.: Высшая школа, 1982. – 392 с.
2. Горбачёв Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника. – М.: Энергоатомиздат, 1988. – 184 с.
3. Руденко В.С., Сенько В.И., Трифонюк В.В. Основы промышленной электроники. – К.: Высшая школа, 1985. – 400 с.
4. Титце У, Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. М.: ДМК Пресс, 2008. – 832 с.
5. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники. – М.: Мир, 1998. – 556 с.
6. Основы промышленной электроники. Под ред. В.Г. Герасимова. – М.: Высшая школа, 1986. – 336 с.
7. Прянишников В.А. Электроника: полный курс лекций. – СПб.: КОРОНА принт; М.: Бином-Пресс, 2006. – 416 с.
8. Колонтаєвський Ю.П., Сосков А.Г. Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія і практикум. – К.: Каравела, 2003. – 368 с.
9. Гаврилов С.А. Искусство схемотехники. Просто о сложном. – СПб.: Наука и техника, 2011. – 352 с. [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.twirpx.com/file/550524/
10. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника и микропроцессорная техника: учебник для вузов – М.: Высшая школа, 2005. – 790 с.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
|
| 1. Лабораторная работа № 1. Исследование характеристик и параметров биполярного транзистора…………………………………
|
| 2. Лабораторная работа № 2. Экспериментальное определение основных параметров полупроводниковых приборов……………..
|
| 3. Лабораторная работа № 3. Исследование усилительных каскадов с общим эмиттером и общим коллектором……………………
|
| 4. Лабораторная работа № 4. Исследование усилительных каскадов с общей базой и на полевом транзисторе………………………
|
| Список литературы…………………………………………………..
|
|
Date: 2015-05-08; view: 883; Нарушение авторских прав Понравилась страница? Лайкни для друзей: |
|
|