Часть 1 Тест 1

2) В электронных приборах для электронной перестройки резонансной частоты LC-контуров используются ……….

Варикапы Правильно
Туннельные диоды
Стабилитроны

Баллы: 1

3) Из представленных на нижеследующем рисунке характеристик к туннельному диоду относится график ………..

а Правильно
б
в

Баллы: 1

4) В режиме линейного усиления наибольшую величину имеет ………… ток.

Коллекторный
Эмиттерный Правильно
Базовый

Баллы: 1

4) В нормальном режиме работы основная часть коллекторного тока транзистора обеспечивается за счет ………..

Инжекции основных свободных носителей из эмиттерной в базовую область его полупроводниковой структуры и последующей их диффузии к границе коллекторного p-n-перехода Правильно
Теплового тока коллекторного p-n-перехода, возникающего вследствие термогенерации неосновных свободных носителей по обе стороны этого перехода
Туннелирования основных свободных носителей через коллекторный p-n-переход

Баллы: 1

6) Основное уравнение транзистора – это

I _k=I _э + I _б
I _э=I _к + I _б
I _б=I _к + I _э

Баллы: 1

7) Управление проводимостью канала полевого транзистора с управляющим p-n-переходом осуществляется путем изменения …

Приложенного к управляющему p-n-переходу обратного напряжения Правильно
Напряжения между стоком и истоком транзистора

Сопротивления в цепи стока

Баллы: 1

8) МДП-транзистор со встроенным каналом отличается от полевого транзистора с управляющим p-n-переходом …………..

Количеством выводов Правильно
Формой проходных ВАХ
Формой выходных ВАХ

Баллы: 1

9) Запирание незапираемого тиристора осуществляется путем …………..

Резкого увеличения анодного тока
Отключения анодного напряжения Правильно
Снятия напряжения с управляющего электрода

Баллы: 1

10) Симистор отличается от незапираемого тринистора ………...

Количеством выводов
Количеством р-п-переходов в его полупроводниковой структуре Правильно
Способами отвода тепла от его корпуса

Баллы: 1

1) Отпирание динистора осуществляется путем ………….

Временного изменения полярности анодного напряжения
Временного повышения анодного напряжения до некоторого критического значения Правильно
Временного понижения напряжения до некоторого критического значения

Баллы: 1

5) Термостабилизация параметров каскада ОЭ достигается включением резистора в цепь………….

Коллектора
Эмиттера Правильно
Базы

Баллы: 1

8) Управление током стока МДП-транзистора со встроенным каналом осуществляется в основном путем ……………...

Изменения ширины ОПЗ p-n-перехода между каналом и подложкой Правильно
Изменения крнцентрации основных носителей заряда в канале
Изменения концентрации неосновных носителей заряда в канале

Баллы: 1

1) В качестве задающего элемента в источниках опорного напряжения используются …………….

Варикапы
Туннельные диоды Ошибочный
Стабилитроны

Баллы: 0

9) Управление током стока МДП-транзистора с индуцированным каналом осуществляется в основном путем ……………...

Изменения темпов термогенерации носителей заряда в индуцированном канале
Изменения концентрации носителей заряда в индуцированном канале
Изменения концентрации носителей заряда в подложке Ошибочный

Баллы: 0

9) Управляющей цепью в полевых транзисторах является:

Цепь истока Ошибочный
Цепь стока
Цепь затвора

Баллы: 0

Тест 2

Date: 2015-05-05; view: 1135; Нарушение авторских прав