Главная Случайная страница



Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника







Порядок выполнения работы. 1. Поставьте подвижный контакт потенциометра R1 и R2 в нулевое положение





1. Поставьте подвижный контакт потенциометра R1 и R2 в нулевое положение.

2. Замкните ключ К1 и потенциометром R1 установите напряжение на вольтметре Vэ Uэ = 0,15 В.

3. Замкните ключ К2 и потенциометром R2 установите показания вольтметра Vk 0,5 В, измерьте ток Iк.

Затем устанавливая последовательно показания вольтметра на 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 В, снимите, соответственно, показания миллиамперметра Ак, (при этом необходимо будет менять последовательно пределы измерения прибора от 1,5мА до 7,5мА).

Не забывайте при измерениях каждый раз следить за тем, чтобы напряжение на эмиттере Uэ было равно 0,15 В. Uэ = 0,15 В

Данные занесите в таблицу 1.

  Таблица 1. Iк=f(Uk) при Uэ=0,15В.
Uк , В                  
Iк, мА                  

 

4. Произведите измерения, аналогичные п.2-3, при напряжении на эмиттере Uэ =0,2 В.

Таблица 1. Iк=f(Uk) при Uэ=0,2В.

Uк , В                  
Iк, мА                  

 

На основании полученных данных постройте зависимость Ik(Uk)

(рис.5).

5. Замкните ключ К2 и с помощью потенциометра R2 установите напряжение на коллекторе Uк = 5 В. В последующем, перед каждым измерением проверьте значение Uк и в случае изменения поддерживайте его 5 В.

6. Замкните ключ К1 и с помощью потенциометра R1 установите показания вольтметра Vэ на 0,08 В. После этого замерьте показания тока через коллектор Iк и тока через базуIб. Затем повторите измерения Iк иIб, меняя показания вольтметра Vэ через 0,02В до 0,28В.

Данные измерения запишите в таблицу 2.



 

Таблица 2 при напряжении Uк=5 В.

Uэ , В                      
Iк , мА                      
Iб, мкА                      

 

5. Повторите вышеуказанные измерения для постоянного напряжения на коллекторе Uк=7В.

Таблица 2 при напряжении Uк=5 В.

Uэ , В                      
Iк , мА                      
Iб, мкА                      

 

6. По полученным данным постройте вольтамперные характеристики Iк=f(Uэ) и Iб =f(Uэ).

7. Найдите для прямолинейного участка характеристики Iк=f(Uк) при Uэ = 0,15В (см. рис. 5) приращение ΔUк, соответствующееΔIк и рассчитайте выходное сопротивление Rвых.

8. Аналогично из характеристики Iб=f(Uэ) (см.рис.7), для Uk =5В рассчитайте входное сопротивление Rвх .

9. Из характеристик Iб =f(Uэ) и Iк=f(Uэ) (см. рис. 7, 6), для Uk = 5 В выберите приращение ΔUэ, соответствующее наиболее прямолинейным участкам кривых и определите соответствующие этому приращения ΔIб и ΔIк .Рассчитайте коэффициент усиления по току α.

10. Для наиболее прямолинейного участка характеристики Iк=f(Uэ) (рис. 6), при Uk = 5 В, определите ΔUэ и ΔUк и рассчитайте крутизну S.

11. Рассчитайте коэффициент усиления по напряжению по

следующей формуле: γ = S Rвых .

Указания по оформлению отчета.

 

Отчет должен содержать:

- электрическую схему;

- таблицы измерений;

- графики, построенные на миллиметровке с обозначенными на них участками ΔI и ΔU соответствующие дальнейшим расчетам;

- расчеты характеристик транзистора;

- выводы по работе.

 

Контрольные вопросы

 

1. Элементы зонной теории твёрдых тел. Деление твёрдых тел на проводники, полупроводники, изоляторы с точки зрения зонной теории.

2. Типы носителей тока в полупроводниках.

3. Собственные и примесные полупроводники.

4. Уровень Ферми в полупроводниках.

5. Свойства р-п – перехода.

6. Принцип работы транзистора (схема включения с общей базой).

7. Коллекторные и базовые характеристики транзистора.

8. Входное и выходное сопротивление транзистора.



9. Коэффициент усиления по току и напряжению. Крутизна

характеристики.

12. Применение полупроводниковых диодов и транзисторов.

 

 

Литература.

 

1. Савельев И.В. Курс общей физики, т.3.-М.,«Наука»,1979,-304с. §57-59,64

2. Трофимова Т.И. Курс физики: Учебник для студ. Вузов.-М.:Высш.шк.,1985,-432с. § 240-243,248,249.

3. Бушманов Б.Н.,Хромов Ю.А. Физика твердого тела.-М., «Наука»,1971,-288. гл.V 1-3,11,16.

 








Date: 2015-05-04; view: 217; Нарушение авторских прав



mydocx.ru - 2015-2021 year. (0.012 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию