Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать неотразимый комплимент Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?

Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Полевые транзисторы с изолированным затвором





 

полевые транзисторы с индуцированным каналом

 

Рис. 5.3. Устройство и условные обозначения МОП–транзисторов с индуцированным каналом.

На рис. 5.3 показано устройство полевого транзистора с изолированным затвором, называемого МДП–транзистором. Это название обусловлено конструкцией: затвор выполнен из металла (М) и отделен тонким слоем диэлектрика (Д) от полупроводника (П), из которого сделан транзистор. Если транзистор изготовлен из кремния, то в качестве диэлектрика используется тонкая пленка оксида кремния. В этом случае на­звание изменяется на МОП–транзистор (металл–оксид–полупроводник).

Показанный на рис. 5.3 слева транзистор изготовлен на основе пластинки (подложки, или основания) из кремния с р–проводимостью. На поверхности пластинки диффузионным способом получены две области с п–проводимостью (исток и сток), разделенные областью п–канала, имеющей преобладающую р–проводимость. Вследствие этого при подаче на транзистор напряжения ток между истоком и стоком протекать не будет, ибо переходы сток–основание и исток–основание образуют два встречно включенных р–п–перехода, один из которых будет закрыт при любой полярности приложенного напряжения.

Однако, если на поверхностный слой р–полупроводника подействовать достаточно сильным электрическим полем, приложив между затвором и основанием напряжение положительной полярности, то между истоком и стоком начнет протекать ток. Это объясняется тем, что из приповерхностного слоя полупроводника, расположенного под затвором, электрическим полем будут оттесняться дырки и собираться электроны, образуя канал (с п–проводимостью, показанный на рис. 5.3 пунктирной линией), вследствие чего р–п–переходы исток–канал и канал–исток перестанут существовать. Проводимость п–канала будет тем больше, чем больше напряжение, приложенное между затвором и основанием.

Транзистор рассмотренной конструкции называется МДП–транзистором с индуцированным каналом.

Основание обычно соединяется с истоком, но иногда напряжение на него подается отдельно, и тогда основание играет роль дополнительного затвора.



Если основание выполнено из п–кремния, исток и сток образованы сильно легированными областями с р–проводимостями, а в качестве изолятора используется оксид кремния, то получается МОП–транзистор с индуцированным р–каналом (с проводимостью р) (рис. 5.3 справа).

полевые транзисторы со встроенным каналом

МОП–транзисторы могут быть выполнены со встроенным каналом. Например, на рис. 5.4 слева приведена схема устройства такого транзистора с п–каналом. Основание выполнено из р–кремния, а исток и сток имеют п–проводимость и получены диффузионным способом. Исток и сток соединены сравнительно тонким каналом с незначительной р–проводимостью.

Рис. 5.4. Устройство и условные обозначения МОП–транзисторов со встроенным каналом.

Если основание сделано из п–кремния, а исток и сток из р–кремния, то транзистор имеет встроенный р–канал (рис. 5.4 справа).

Работу п–канального МОП–транзистора можно пояснить так. Если на затвор подано отрицательное (относительно основания) напряжение, то электроны проводимости вытесняются из п–канала в основание, и проводимость канала уменьшается, вплоть до полного обеднения и запирания канала.

При подаче на затвор положительного напряжения п–канал обогащается электронами, и проводимость его увеличивается (рис.5.6).

 






Date: 2015-05-04; view: 369; Нарушение авторских прав

mydocx.ru - 2015-2019 year. (0.016 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию