Главная Случайная страница


Полезное:

Как сделать разговор полезным и приятным Как сделать объемную звезду своими руками Как сделать то, что делать не хочется? Как сделать погремушку Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами Как сделать идею коммерческой Как сделать хорошую растяжку ног? Как сделать наш разум здоровым? Как сделать, чтобы люди обманывали меньше Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили? Как сделать лучше себе и другим людям Как сделать свидание интересным?


Категории:

АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника






Статические и динамические параметры силовых транзисторных ключей





Транзистор Параметры  
, В   η,     о. е.  
нс  
Ом  
Биполярный                  
MOSFET                  
IGBT                  

 

7. В папке «Лаб. 2» открыть виртуальную лабораторную работу «MOSFET» и в соответствии с методиками, изложенными в пп. 3, 4, 6, 7 (с. 35–37), определить статические и динамические параметры модели силового MOSFET-ключа, заданной преподавателем из табл. 3.5. Результаты измерений переходных характеристик MOSFET-ключа представить на рис. 3.13, 3.15, 3.17, 3.19. Статические и динамические параметры MOSFET-ключа занести в табл. 3.6. Определить потери мощности в MOSFET транзисторном ключе и его КПД при коммутации тока (табл. 3.5) с частотой 10 кГц. Значение КПД занести в табл. 3.6.

8. Открыть виртуальную лабораторную работу «IGBT» по исследованию переключательных характеристик и характеристики насыщения модели IGBT силового ключа, заданной преподавателем из табл. 3.5. В соответствии с методиками, изложенными в пп. 3, 4, 6, 7 (с. 35–37), провести необходимые измерения. Результаты представить на рис. 3.14, 3.16, 3.18, 3.20 и занести в табл. 3.6. Определить потери мощности в IGBT транзисторном ключе и его КПД при коммутации тока
(табл. 3.5) с частотой 10 кГц. Значение КПД занести в табл. 3.6.

Содержание отчета

1. Статические, динамические и предельно допустимые параметры силовых ключей на биполярных, MOSFET- и IGBT-транзисторах.

2. Виртуальная установка для исследования биполярных транзисторных ключей.

3. Результаты настройки установки на оптимальный режим насыщения.

4. Переходные характеристики включения, выключения и характеристики насыщения биполярных, MOSFET- и IGBT-транзисторов.

5. Временные диаграммы импульсов напряжения, формируемых ключами на биполярных, MOSFET-транзисторах и IGBT-транзисторах.

6. Расчеты КПД ключей на биполярных, MOSFET-транзисторах и IGBT-транзисторах.

7. Таблица 3.6 с измеренными статическими и динамическими параметрами силовых ключей и с рассчитанными значениями КПД.

8. Сравнительный анализ ключей по статическим и динамическим показателям и по КПД. Выводы по работе.

 

Контрольные вопросы

1. Что такое семейство силовых транзисторных ключей?

2. Как определяется величина сопротивления в лабораторной установке?

3. Какой величины выбираются источники напряжения в установке для исследования биполярных транзисторных ключей?

4. В чем состоит различие между задержкой включения , задержкой выключения и временем задержки рассасывания неосновных носителей зарядов ?

5. Что такое пороговое напряжение у MOSFET-транзисторов и IGBT-транзисторов?

6. Что такое коэффициент насыщения биполярного транзистора?

7. Каким образом формируется индуцированный канал у MOSFET-тран­зис­торов?

8. Какую традиционную область применения имеют IGBT транзисторные ключи?

9. Какие недостатки имеет биполярный транзисторный ключ?

10. В чем состоят достоинства и недостатки ключей на MOSFET-тран­зи­с­торах?

11. Какие достоинства имеет IGBT-транзистор?

12. Что такое драйверы, по каким схемам и в каком исполнении они выпускаются?

13. Почему у IGBT-ключа падение напряжения в проводящем состоянии меньше, чем у MOSFET-ключа?

14. Как классифицируются IGBT-ключи по частотным свойствам?

15. Какие семейства ключей не имеют конкуренции в диапазоне напряжения меньше 200 В?

16.Что такое поколения IGBT-транзисторов и в каком направлении идет эволюция потерь мощности в поколениях IGBT?

 

Рекомендуемая литература

1. Розанов Ю.К. Силовая электроника: учеб. для вузов / Ю.К. Розанов, М.В. Рябчицкий, А.А. Кваснюк. – М.: МЭИ, 2007. – 632 с.

2. Электротехнический справочник. В 4 т. Т. 2. Электротехничес­кие изделия и устройства / под общ. ред. проф. МЭИ В.Г. Герасимова [и др.]. –
М.: МЭИ, 2001. – 518 с.

3. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение / П.А. Воронин. – М.: Додэка, 2001. – 384 с.

Date: 2015-11-13; view: 1192; Нарушение авторских прав; Помощь в написании работы --> СЮДА...



mydocx.ru - 2015-2024 year. (0.005 sec.) Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав - Пожаловаться на публикацию