Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Статические и динамические параметры силовых транзисторных ключей
7. В папке «Лаб. 2» открыть виртуальную лабораторную работу «MOSFET» и в соответствии с методиками, изложенными в пп. 3, 4, 6, 7 (с. 35–37), определить статические и динамические параметры модели силового MOSFET-ключа, заданной преподавателем из табл. 3.5. Результаты измерений переходных характеристик MOSFET-ключа представить на рис. 3.13, 3.15, 3.17, 3.19. Статические и динамические параметры MOSFET-ключа занести в табл. 3.6. Определить потери мощности в MOSFET транзисторном ключе и его КПД при коммутации тока (табл. 3.5) с частотой 10 кГц. Значение КПД занести в табл. 3.6. 8. Открыть виртуальную лабораторную работу «IGBT» по исследованию переключательных характеристик и характеристики насыщения модели IGBT силового ключа, заданной преподавателем из табл. 3.5. В соответствии с методиками, изложенными в пп. 3, 4, 6, 7 (с. 35–37), провести необходимые измерения. Результаты представить на рис. 3.14, 3.16, 3.18, 3.20 и занести в табл. 3.6. Определить потери мощности в IGBT транзисторном ключе и его КПД при коммутации тока Содержание отчета 1. Статические, динамические и предельно допустимые параметры силовых ключей на биполярных, MOSFET- и IGBT-транзисторах. 2. Виртуальная установка для исследования биполярных транзисторных ключей. 3. Результаты настройки установки на оптимальный режим насыщения. 4. Переходные характеристики включения, выключения и характеристики насыщения биполярных, MOSFET- и IGBT-транзисторов. 5. Временные диаграммы импульсов напряжения, формируемых ключами на биполярных, MOSFET-транзисторах и IGBT-транзисторах. 6. Расчеты КПД ключей на биполярных, MOSFET-транзисторах и IGBT-транзисторах. 7. Таблица 3.6 с измеренными статическими и динамическими параметрами силовых ключей и с рассчитанными значениями КПД. 8. Сравнительный анализ ключей по статическим и динамическим показателям и по КПД. Выводы по работе.
Контрольные вопросы 1. Что такое семейство силовых транзисторных ключей? 2. Как определяется величина сопротивления в лабораторной установке? 3. Какой величины выбираются источники напряжения в установке для исследования биполярных транзисторных ключей? 4. В чем состоит различие между задержкой включения , задержкой выключения и временем задержки рассасывания неосновных носителей зарядов ? 5. Что такое пороговое напряжение у MOSFET-транзисторов и IGBT-транзисторов? 6. Что такое коэффициент насыщения биполярного транзистора? 7. Каким образом формируется индуцированный канал у MOSFET-транзисторов? 8. Какую традиционную область применения имеют IGBT транзисторные ключи? 9. Какие недостатки имеет биполярный транзисторный ключ? 10. В чем состоят достоинства и недостатки ключей на MOSFET-транзисторах? 11. Какие достоинства имеет IGBT-транзистор? 12. Что такое драйверы, по каким схемам и в каком исполнении они выпускаются? 13. Почему у IGBT-ключа падение напряжения в проводящем состоянии меньше, чем у MOSFET-ключа? 14. Как классифицируются IGBT-ключи по частотным свойствам? 15. Какие семейства ключей не имеют конкуренции в диапазоне напряжения меньше 200 В? 16.Что такое поколения IGBT-транзисторов и в каком направлении идет эволюция потерь мощности в поколениях IGBT?
Рекомендуемая литература 1. Розанов Ю.К. Силовая электроника: учеб. для вузов / Ю.К. Розанов, М.В. Рябчицкий, А.А. Кваснюк. – М.: МЭИ, 2007. – 632 с. 2. Электротехнический справочник. В 4 т. Т. 2. Электротехнические изделия и устройства / под общ. ред. проф. МЭИ В.Г. Герасимова [и др.]. – 3. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение / П.А. Воронин. – М.: Додэка, 2001. – 384 с.
|