Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Общие сведения из теории. В настоящее время в области коммутируемых токов до 50 А и напряжений до 500 В еще используются силовые ключи на биполярных транзисторах (рисВ настоящее время в области коммутируемых токов до 50 А и напряжений до 500 В еще используются силовые ключи на биполярных транзисторах Силовые транзисторные ключи обычно характеризуются набором статических, предельно допустимых и динамических параметров. К статическим параметрам относятся остаточное напряжение в замкнутом состоянии и сопротивление в режиме насыщения для биполярных и IGBT-транзисторов, сопротивление сток-исток в открытом состоянии для MOSFET- транзисторов. В качестве предельно допустимых параметров в паспортных данных на транзисторы приводятся следующие: максимальный ток коллектора и ток стока в проводящем состоянии, максимальное напряжение коллектор-эмиттер и напряжение сток-исток в непроводящем состоянии, максимальное значение мощности рассеяния на коллекторе и стоке при Потери мощности в транзисторных ключах складываются из потерь , (3.1) где – отношение продолжительности проводящего состояния транзисторного ключа к периоду его коммутации; – остаточное напряжение на проводящем транзисторе; – сопротивление ключа в замкнутом положении. Коммутационные потери мощности в транзисторе определяются выражением [2] , (3.2) где – частота коммутации транзистора. Силовые ключи на биполярных транзисторах (рис. 2.1, д)являются коммутаторами с токовым управлением. При подаче в базу транзистора прямоугольного импульса тока с крутым фронтом и с амплитудой ,(3.3) где – коэффициент усиления тока базы; – степень насыщения (обычно составляет 2…3), ток коллектора достигает установившегося значения не сразу, а после некоторого времени задержки , спустя время нарастания тока . Таким образом, время включения (3.4) При выключении транзистора на его базу подается обратное напряжение, и после времени рассасывания неосновных носителей происходит спад тока коллектора в течение времени . Таким образом, время выключения = . (3.5) Силовые ключи на биполярных транзисторах можно разделить на низковольтные и высоковольтные. Особенностью высоковольтных ключей является эффект динамического насыщения, затягивающий процесс включения, и низкий коэффициент усиления – от нескольких единиц. Поэтому высоковольтные ключи выпускаются составными (по схеме Дарлингтона), а также в виде модулей [3]: последовательно соединенные сборки, мостовые и полумостовые схемы на диапазон токов до 600 А и напряжений до 1200 В (табл. 3.1). Таблица 3.1
|