Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Зонная диаграмма несимметричного p-n переходаВследствие различия концентраций электронов и дырок в n- и p-областях создается диффузионное движение свободных носителей через p-n-переход, выравнивающее концентрации дырок и электронов в полупроводнике. При этом электроны, перешедшие из n- в р-область, рекомбинируют вблизи границы этих областей с дырками р-области, точно так же дырки, перешедшие из р- в n-область, рекомбинируют здесь с электронами этой области. В результате этого в приконтактном слое n-области практически не остается свободных электронов и в нем формируется неподвижный объемный положительный заряд ионизированных доноров. В приконтактном слое р-области практически не остается дырок и в нем формируется неподвижный объемный отрицательный заряд ионизированных акцепторов. Диффузия дырок и электронов через p-n-переход приводит к нарушению электрической нейтральности. Происходит взаимное смещение энергетических зон n - и p-областей (рисунок 4.1б). Рисунок 4.1 Энергетические диаграммы p-n перехода: a - неравновесная диаграмма (до начала обмена носителями заряда между p- и n-областями); б - равновесная диаграмма (после образования объемных стационарных зарядов в переходе) Ширина запрещенной зоны в каждой из областей при этом не изменяется, но в обеих областях происходит выравнивание уровней Ферми. Между p-n областями происходит диффузионное перераспределение носителей до тех пор, пока средняя энергия заряженных частиц, а следовательно, и уровни Ферми в обеих частях кристалла, не будут одинаковы. Из рассмотрения зонной диаграммы (рис.4.1а) можно прийти к выводу, что барьер в p-n-переходе равен: переход барьер контактный амперный (4.1) т.е. определяется разностью положений уровней Ферми в исходных полупроводниках.
|