Полезное:
Как сделать разговор полезным и приятным
Как сделать объемную звезду своими руками
Как сделать то, что делать не хочется?
Как сделать погремушку
Как сделать так чтобы женщины сами знакомились с вами
Как сделать идею коммерческой
Как сделать хорошую растяжку ног?
Как сделать наш разум здоровым?
Как сделать, чтобы люди обманывали меньше
Вопрос 4. Как сделать так, чтобы вас уважали и ценили?
Как сделать лучше себе и другим людям
Как сделать свидание интересным?
Категории:
АрхитектураАстрономияБиологияГеографияГеологияИнформатикаИскусствоИсторияКулинарияКультураМаркетингМатематикаМедицинаМенеджментОхрана трудаПравоПроизводствоПсихологияРелигияСоциологияСпортТехникаФизикаФилософияХимияЭкологияЭкономикаЭлектроника
|
Типы полупроводниковых детекторов
Поверхностно-барьерные детекторы. P-n переход образуют окислением кислородом воздуха протравленной поверхности полупроводника. На эту поверхность напыляют тонкий металлический слой - токосъёмный электрод. Толщина чувствительной области (0,2 - 0,5 мм) зависит от напряжения смещения. Материал детекторов – кремний. ППД работают при комнатной температуре. Применяются для детектирования и спектрометрии частиц с коротким пробегом: низкоэнергетических протонов, альфа частиц и осколков деления. Диффузионные детекторы. P-n переход может быть получен посредством диффузии в полупроводник (как правило, p-кремний) соответствующих его типу примесей (обычно, фосфора). Толщина чувствительного слоя такая же, как и в поверхностно-барьерном ППД. Работают при комнатной температуре. Свойства и область применения те же, что и для поверхностно-барьерного ППД. Полупроводниковые детекторы с р -i –n переходом. Большой объём чувствительной области, пониженная ёмкость детектора, высокие эффективность и энергетическое разрешение могут быть достигнуты при использовании p-i-n структуры. На рис. 2.2.1 изображена p-i-n структура с низколегированной p-областью [10]. В качестве электродов в таких структурах используют высоколегированные полупроводники (области с высокой концентрацией соответствующих примесей). Изменение потенциала происходит, в основном, в низколегированной p области, по всей глубине которой возникает электрическое поле. Для получения бо́льшей толщины чувствительной области необходимо добиваться минимальной концентрации некомпенсированных примесных атомов в низколегированной области.
а)
б)
в)
г) Рис. 2.2.1 Упрощенная схема (а) и характеристики p-i-n перехода с обратным смещением: б – распределение объёмного заряда, в –напряженность электрического поля, г – потенциал. n* и p* - области высоколегированных полупроводников n и p типа, p – слаболегированная p область, обедненная носителями заряда.
В ППД с p-i-n переходом используют или особо чистый германий (ОЧГ) (детекторы из ОЧГ) или германий компенсированный посредством легирования литием (диффузионные или дрейфовые ППД). ППД из ОЧГ могут храниться при комнатной температуре и должен охлаждаться только в процессе работы. Диффузионные ППД должны работать и храниться при низкой температуре. Подвижность легирующих атомов лития в нем столь велика, что при комнатной температуре они диффундируют из компенсированной области и тем самым ухудшают её свойства (уменьшают удельное сопротивление). Детекторы с p-i-n переходом изготавливают двух типов: плоские – планарные (объёмом 10 - 15 см3) и коаксиальные - цилиндрические с p* контактом в коаксиальном отверстии (объёмом до 100 см3). Date: 2015-07-01; view: 604; Нарушение авторских прав |